Presentation (Internal)

1. (invited)
   マルチスケール相関顕微鏡法で解明する多結晶粒界機能 −転位発生・双晶化および不純物集積−
   大野裕
   第５回多結晶材料情報学応用技術研究会, 12/16 2022, 名古屋大学, 愛知.

2. シリコン中のΣ9{111}/{115}非対称傾角粒界の形成過程の観察
   大野裕, 斉藤光, 梁剣波, 重川直輝, 井上耕治, 永井康介, 波多聰
   第51回結晶成長国内会議, 10/31-11/2 2022, RCC文化センター, 広島.

3. キャスト成長シリコンにおけるΣ3粒界からの転位発生の微視的描像
   大野裕, 吉田秀人, 横井達矢, 松永克志, 井上耕治, 永井康介, 宇佐美徳隆
   第83回応用物理学会秋季学術講演会, 9/20-23 2022, 東北大学, 宮城.

4. TEMと多結晶材料情報学に基づくシリコン中の転位発生源の解析
   大野裕, 山腰健太, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 田中博之, 永井康介,宇佐美徳隆
   日本顕微鏡学会第78回学術講演会, 5/11-13 2022, ビックパレットふくしま, 福島.

5. 応力解析による多結晶Siナノファセット構造の転位発生への影響調査
   山腰健太, 大野裕, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 田中博之, 宇佐美徳隆
   第69回応用物理学会春季学術講演会, 3/22-26 2022 (青山学院大, 神奈川).

6. (invited)
   アトムプローブと低温FIB加工法の複合による半導体粒界の構造・組成精密評価
   大野裕
   カメカ テクニカルセミナー 2021, 12/8 2021,online.

7. 擬単結晶シリコンのキャスト成長過程における高次の双晶形成と転位発生
   大野裕、吉田秀人、小島拓人、山腰健太、宇佐美徳隆、Patricia Krenckel、Stephan Riepe
   第50回結晶成長国内会議, 10/27-29 2021 (online).

8. 擬単結晶シリコン中の非対称Σ27 粒界における転位クラスター発生機構
   大野裕, 吉田秀人, 小島拓人, 山腰健太, 宇佐美徳隆、Patricia Krenckel、Stephan Riepe
   第18回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 10/14-15 2021 (online).

9. (invited)
   低温FIB法とアトムプローブ・STEM複合法による半導体粒界の構造・組成精密評価
   大野裕
   日本顕微鏡学会第77回学術講演会, 6/14-16 2021,つくば国際会議場, 茨城.

10. シリコン中のヒ素ドーパントの粒界偏析機構
    大野裕, 清水康雄, JieRen, 横井達也, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 沓掛健太朗, 藤原航三, 中村篤智, 松永克志
    第68回応用物理学会春季学術講演会, 3/16-19 2021 (online).

11. チョクラルスキー成長LiTaO₃単結晶インゴットにおける多結晶化発生点
    大野裕, 大迫千峰, 東風谷敏男, 梶ケ谷富男
    第49回結晶成長国内会議（JCCG-49）, 11/9-11 2020 (online).

12. (invited)
    表面活性化接合法で作成したSi/ワイドギャップ半導体ヘテロ界面の微視的描像
    大野裕
    独立行政法人日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会 第28回研究会, 9/24 2020, 東京大学, 東京.

13. ハイパフォーマンス多結晶シリコンにおける粒界3重点と転位発生の相関
    大野裕, 田島和哉, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆
    第81回応用物理学会秋季学術講演会, 9/8-11 2020 (online).

14. 低温FIB-断面STEM法によるSi/Diamond表面活性化接合界面の構造評価
    大野裕, 梁剣波, 吉田秀人, 清水康雄, 永井康介, 重川直輝
    第81回応用物理学会秋季学術講演会, 9/8-11 2020 (online).

15. 3次元PLイメージング法とTEM法による太陽電池用多結晶Siインゴット中の転位発生点の構造解析
    大野裕, 田島和哉, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆
    日本物理学会第75回年次大会, 3/16-19 2020, 名古屋大学, 愛知.

16. (invited)
    結晶学および計算科学によるSiとNaの反応機構の解明
    大野裕
    第67回応用物理学会春季学術講演会, 3/12-15 2020, 上智大学, 東京.

17. 多結晶シリコンインゴット中の転位発生点近傍の構造特性
    大野裕, 田島和哉, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆
    第67回応用物理学会春季学術講演会, 3/12-15 2020, 上智大学, 東京.

18. 表面活性化接合で作成したSi/GaAs界面の低温FIB法による断面TEM評価
    大野裕, 清水康雄, 永井康介, 麻生亮太郎, 神内直人,吉田秀人, 梁剣波, 重川直輝
    第80回応用物理学会秋季学術講演会, 9/18-21 2019, 北海道大学, 北海道.

19. 太陽電池用半導体中の粒界機能
    大野裕
    東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター2019年度大洗アルファ合同研究会, 10/3-5 2019, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

20. Cz-LiTaO₃単結晶インゴットにおける多結晶化発生点の解析
    大野裕, 梶ケ谷富男
    第80回応用物理学会秋季学術講演会, 9/18-21 2019, 北海道大学, 北海道.

21. (invited)
    表面活性化のためのAr原子線照射がSi/GaAs接合界面の構造に及ぼす影響
    大野裕
    独立行政法人日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会 第22回研究会, 7/6 2019, 東京大学, 東京.

22. 収束イオン線を用いた半導体界面の解析におけるアーチファクト
    大野裕, 清水康雄, 海老澤直樹, 永井康介, 吉田秀人, 神内直人, 麻生亮太郎, 竹田精治, 梁剣波, 重川直輝
    日本顕微鏡学会第75回学術講演会, 6/17-19 2019, 名古屋国際会議場, 愛知.

23. Si中のΣ9{111}/{115}粒界に形成される2次元ポリモルフィック構造
    大野裕，吉田秀人，竹田精治，横井達也，中村篤智，松永克志，清水康雄，永井康介
    日本物理学会第74回年次大会, 3/14-17 2019, 九州大学, 福岡.

24. 3次元PLイメージング法で同定したハイパフォーマンス多結晶シリコンインゴット中の転位発生点近傍の透過電子顕微鏡解析
    大野裕, 田島和哉, 沓掛健太朗, 清水康雄, 海老澤直樹, 永井康介, 宇佐美徳隆
    第66回応用物理学会春季学術講演会, 3/9-12 2019, 東京工業大学, 東京.

25. (invited)
    3次元アトムプローブ法による半導体欠陥の組成評価：定量分析と実際
    大野裕
    独立行政法人日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会 第162回研究会, 1/31 2019, 明治大学, 東京.

26. (Seminar)
    4H-SiCにおける転位の再結合促進運動のTEMその場観察
    大野裕
    名古屋大学工学部マテリアル理工学専攻材料工学分野セミナー, 9/25 2018, 名古屋大学, 愛知.

27. Σ3{111}対称傾角粒界の不純物偏析能とキャリア再結合速度に対する傾角のずれの影響
    大野裕，沓掛健太朗，玉岡武泰，竹田精治，清水康雄，海老澤直樹，井上耕治，永井康介，宇佐美徳隆
    第79回応用物理学会秋季学術講演会, 9/18-21 2018, 名古屋国際会議場, 愛知.

28. CZ-LiTaO₃結晶における転位密度と小傾角粒界の空間分布の評価
    大野裕，梶ヶ谷富男，窪内裕太
    第79回応用物理学会秋季学術講演会, 9/18-21 2018, 名古屋国際会議場, 愛知.

29. シリコン結晶中のΣ9{111}/{115}非対称粒界に形成される多形構造
    大野裕，吉田秀人，竹田精治, 横井達也, 中村篤智, 松永克志, 清水康雄, 永井康介
    日本顕微鏡学会第74回学術講演会, 5/29-5/31 2018, 久留米シティプラザ, 福岡.

30. Si中のΣ9{111}/{115}非対称粒界における双安定構造
    大野裕, 清水康雄, 永井康介, 沓掛健太朗，吉田秀人，竹田精治, 横井達也, 中村篤智, 松永克志
    第65回応用物理学会春季学術講演会, 3/17-20 2018, 早稲田大学, 東京.

31. ドーピングレベルに依存するSi中の積層欠陥とNa原子の相互作用
    大野裕, 森戸春彦, 沓掛健太朗, 米永一郎, 横井達也, 中村篤智, 松永克志
    第65回応用物理学会春季学術講演会, 3/17-20 2018, 早稲田大学, 東京.

32. (co-organizer)
    分野融合で始まる欠陥研究の新時代　-学会を越えた視点から見えてくるもの-
    沓掛健太朗, 中村篤智, 大野裕
    第65回応用物理学会春季学術講演会, 3/17-20 2018, 早稲田大学, 東京.

33. ＴＥＭ-アトムプローブ複合法によるシリコン粒界における酸素の偏析機構の解明
    大野裕, 井上海平, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介，吉田秀人，竹田精治, 田中真悟, 香山正憲
    東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター 平成２９年度大洗研究会, 10/4-5 2017, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

34. (invited)
    シリコン結晶における不純物の粒界偏析　−微視的描像と機能−
    大野裕
    第78回応用物理学会秋季学術講演会, 9/5-8 2017, 福岡国際会議場, 福岡.

35. 室温表面活性化接合で作成したSi/GaAs界面の熱処理による構造変化
    大野裕, 吉田秀人, 竹田精治, 梁剣波, 重川直輝
    第78回応用物理学会秋季学術講演会, 9/5-8 2017, 福岡国際会議場, 福岡.

36. 3次元アトムプローブ-TEM複合法によるSi中の格子間酸素の粒界偏析評価
    大野裕, 井上海平, 藤原航三, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 海老澤直樹, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介，吉田秀人，竹田精治, 田中真悟, 香山正憲
    日本顕微鏡学会第73回学術講演会, 5/30-6/1 2017, 札幌コンベンションセンター, 北海道.

37. 平面TEM観察による表面活性化接合Si/GaAs界面の評価
    大野裕，吉田秀人，竹田精治, 梁剣波, 重川直輝
    日本顕微鏡学会第73回学術講演会, 5/30-6/1 2017, 札幌コンベンションセンター, 北海道.

38. (invited)
    半導体における粒界・転位機能−Si粒界の偏析特性とワイドギャップ半導体の転位特性を中心として−
    大野裕
    日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部 第71回若手材料研究会「格子欠陥研究の最前線」, 3/24 2017, 安保ホール, 愛知.

39. モノライクシリコンにおける不純物の粒界偏析機構
    大野裕, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介，吉田秀人，竹田精治
    日本物理学会第72回年次大会, 3/17-20 2017, 大阪大学, 大阪.

40. シリコン中の傾角粒界における酸素の偏析機構
    大野裕, 井上海平, 藤原航三, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 海老澤直樹, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介，吉田秀人，竹田精治, 田中真悟, 香山正憲
    第64回応用物理学会春季学術講演会, 3/14-17 2017, パシフィコ横浜, 神奈川.

41. 常温で表面活性化接合したSi/GaAs界面の原子・電子構造
    大野裕，吉田秀人，竹田精治, 梁剣波, 重川直輝
    第64回応用物理学会春季学術講演会, 3/14-17 2017, パシフィコ横浜, 神奈川.

42. (invited)
    表面活性化接合Si/GaAs界面の平面TEM観察
    大野裕
    独立行政法人日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会 第7回研究会, 12/16 2016, 東京大学, 東京.

43. モノライクシリコンにおける不純物の粒界偏析
    大野裕, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介，吉田秀人，竹田精治
    第77回応用物理学会秋季学術講演会, 9/13-16 2016, 朱鷺メッセ, 新潟.

44. シリコン中の大角粒界における不純物の偏析能
    大野裕, 井上海平, 藤原航三, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介，吉田秀人，竹田精治, 田中真悟, 香山正憲
    第77回応用物理学会秋季学術講演会, 9/13-16 2016, 朱鷺メッセ, 新潟.

45. 常温で表面活性化接合したSi/GaAs界面の平面TEM観察
    大野裕, 梁剣波, 重川直輝
    第77回応用物理学会秋季学術講演会, 9/13-16 2016, 朱鷺メッセ, 新潟.

46. TEM-3次元アトムプローブ複合法によるSi中の傾角粒界の不純物偏析能の評価
    大野裕, 井上海平, 出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎, 海老澤直樹, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介，吉田秀人，竹田精治，田中真悟，香山正憲
    日本顕微鏡学会第72回学術講演会, 6/14-16 2016, 仙台国際センター, 宮城.

47. シリコン中の小傾角粒界における銅の偏析機構
    大野裕, 井上海平, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 海老澤直樹, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介，吉田秀人，竹田精治，谷口僚，大坪秀礎，西谷滋人
    日本物理学会第71回年次大会, 3/19-22 2016, 東北学院大学, 宮城.

48. シリコン中の小傾角粒界における酸素の偏析機構
    大野裕, 井上海平, 藤原航三, 出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介
    日本物理学会2015年秋季大会, 9/16-19 2015, 関西大学, 大阪.

49. (seminar)
    粒界特性を制御したシリコン太陽電池結晶の開発にむけて -粒界の構造と不純物集積特性-
    大野裕
    高知工科大学 環境理工学群 河野Gセミナー, 6/4 2015, 高知工科大学, 高知.

50. シリコン中のΣ9{114}粒界における不純物集積能とボンドひずみの相関
    大野裕，井上海平，出浦桃子，沓掛健太朗，米永一郎，海老澤直樹，清水康雄，井上耕治，永井康介，吉田秀人，竹田精治，田中真悟，香山正憲
    日本物理学会第70回年次大会, 3/21-24 2015, 早稲田大学, 東京.

51. (invited)
    透過電子顕微鏡による半導体欠陥の電子的・動的特性のナノスケール直視評価
    大野裕
    独立行政法人日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会 第89回研究会「結晶加工と評価」, 1/8-9 2015, 橿原ロイヤルホテル, 奈良.

52. (organizer)
    電池材料の局所境界構造と機能
    大野裕
    日本物理学会2014年秋季大会 領域10，領域9合同シンポジウム, 9/7-10 2014, 中部大学, 愛知.

53. シリコン中におけるΣ9{114}粒界構造　―不純物の偏析能との相関―
    大野裕, 井上海平，出浦桃子，沓掛健太朗，米永一郎，吉田秀人，竹田精治
    日本物理学会2014年秋季大会, 9/7-10 2014, 中部大学, 愛知.

54. 3次元アトムプローブ-TEM複合法によるSi中のΣ9粒界と不純物の相互作用評価
    大野裕, 井上海平，米永一郎，海老澤直樹，高見澤悠，清水康雄，井上耕治，永井康介，吉田秀人，竹田精治
    日本顕微鏡学会第70回記念学術講演会, 5/11-13 2014, 幕張メッセ国際会議場, 千葉.

55. シリコン中におけるΣ9{114}粒界と不純物の相互作用
    大野裕, 井上海平，徳本有紀，沓掛健太郎，米永一郎，海老澤直樹，高見澤悠，清水康雄，井上耕治，永井康介
    日本物理学会第69回年次大会, 3/27-30 2014, 東海大学, 神奈川.

56. 3次元アトムプローブ-TEM複合法によるSi中の粒界と不純物の相互作用評価 -Σ3, Σ9, 小角粒界-
    大野裕
    第１回グリーンエネルギー材料のマルチスケール創製研究会, 1/7-9 2014, ホテル松竜園, 熊本.

57. シリコン中におけるΣ3{111}粒界と不純物の相互作用
    大野裕, 井上海平，徳本有紀，沓掛健太郎，米永一郎，海老澤直樹，高見澤悠，清水康雄，井上耕治，永井康介，吉田秀人，竹田精治
    日本物理学会2013年秋季大会, 9/25-28 2013, 徳島大学, 徳島.

58. (selected oral)
    TEM内その場近接場光照射　-TEM内でのナノ光学に向けて-
    大野裕
    日本顕微鏡学会第69回学術講演会, 5/20-22 2013, ホテル阪急エキスポパーク, 大阪.

59. ３次元アトムプローブ法による偏析の無いシリコン粒界近傍の不純物分布評価
    大野裕，井上海平，徳本有紀，沓掛健太郎，米永一郎，海老澤直樹，高見澤悠，清水康雄，永井康介，吉田秀人，竹田精治
    日本顕微鏡学会第69回学術講演会, 5/20-22 2013, ホテル阪急エキスポパーク, 大阪.

60. 高温微小硬度試験法で導入されたZnO中の転位の構造特性
    大野裕, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 種市寛人，米永一郎
    日本物理学会第68回年次大会, 3/26-29 2013, 広島大学, 広島.

61. シリコン中の積層欠陥とドーパント原子の相互作用エネルギー
    大野裕, 徳本有紀, 沓掛健太朗，米永一郎，正木佳宏，西谷滋人
    日本物理学会2012年秋季大会, 9/18-21 2012, 横浜国立大学, 神奈川.

62. 高濃度B添加SiにおけるBCC構造Cu₃Siの形成
    大野裕，大澤隆亨，徳本有紀，井上海平，米永一郎，清水康雄，高見澤悠，永井康介，吉田秀人，竹田精治，正田薫，谷口僚，西谷滋人
    日本顕微鏡学会第68回学術講演会, 5/14-16 2012, つくば国際会議場, 茨城.

63. (organizer)
    エネルギー・環境材料の機能と格子欠陥
    大野裕
    日本物理学会第67回年次大会 領域10，領域9合同シンポジウム, 3/24-27 2012, 関西学院大学, 兵庫.

64. ZnO中のプリズム面上転位の電子状態
    大野裕，藤井克司，八百隆文，米永一郎
    日本物理学会第67回年次大会, 3/24-27 2012, 関西学院大学, 兵庫.

65. (seminar)
    半導体転位の電子特性：酸化亜鉛＆シリコン
    大野裕
    大阪大学産業科学研究所セミナー, 12/13 2011, 大阪大学産業科学研究所, 大阪.

66. (organizer)
    分野融合型格子欠陥研究の発展にむけて
    大野裕
    東北大学金属材料研究所ワークショップ, 10/27-28 2011, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

67. ZnO中のプリズム面上転位の光学特性
    大野裕，藤井克司，八百隆文，米永一郎
    日本物理学会第66回年次大会, 3/25-28 2011, 新潟大学, 新潟.

68. (invited, keynote)
    ＴＥＭ内その場顕微分光・電気測定による半導体転位の機能評価
    大野裕
    日本金属学会2011年春期(第148回)大会, 3/25-27 2011, 東京都市大学, 東京.

69. 欠陥反応制御による太陽電池用シリコン結晶の高機能化にむけて
    大野裕
    東北大学金属材料研究所・低炭素社会基盤材料融合研究センターワークショップ「低炭素社会実現に向けた材料科学」, 11/19 2010, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

70. (invited)
    格子欠陥・ナノ構造体の制御技術と新機能性
    大野裕
    第6回励起ナノプロセス研究会, 11/2-3 2010, ビッグ・アイ 国際障害者交流センター, 大阪.

71. シリコン中の転位の構造特性に対するドーピング効果
    大野裕, 徳本有紀, 大澤隆亮, 太子敏則, 米永一郎
    日本物理学会2010年秋期大会, 9/23-26 2010, 大阪府立大学, 大阪.

72. シリコン中の転位の構造特性に対するドーピング効果
    大野裕, 徳本有紀, 大澤隆亨, 米永一郎
    日本顕微鏡学会第66回学術講演会, 5/23-26 2010, 名古屋国際会議場, 愛知

73. 高濃度ドーパント添加シリコン中の転位の構造特性
    大野裕, 太子敏則, 米永一郎
    日本物理学会第65回年次大会, 3/20-23 2010, 岡山大学津島キャンパス, 岡山

74. 高濃度ホウ素添加CZシリコン中の拡張欠陥
    大野裕, 太子敏則, 米永一郎
    日本物理学会2009年秋期大会, 9/25-28 2009, 熊本大学, 熊本.

75. Opto-TEM法によるw-ZnO単結晶中の転位の局在電子状態解析
    大野裕, 太子敏則, 米永一郎
    日本電子顕微鏡学会65回学術講演会, 5/26-29 2009, 仙台国際センター, 宮城.

76. 透過電子顕微鏡内での顕微分光法によるナノ電子物性評価
    大野裕, 太子敏則, 米永一郎
    金属材料研究所第117回講演会, 5/14-15 2009, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

77. (invited)
    顕微鏡法を用いたナノ電子物性評価の現状と今後
    大野裕
    第１８回格子欠陥フォーラム, 9/24 2008, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

78. ZnO中の転位の電子励起誘起運動
    大野裕, 太子敏則, 米永一郎
    日本物理学会2008年秋季大会, 9/20-23 2008, 岩手大学, 岩手.

79. ZnO中の転位に関係する局在電子準位
    大野裕, 小泉晴比古, 太子敏則, 藤井克司, 後藤裕輝, 八百隆文, 米永一郎
    日本物理学会第６３回年次大会, 3/22-26 2008, 近畿大学, 大阪.

80. 塑性変形したZnOの光学特性
    大野裕, 小泉晴比古, 藤井克司, 後藤裕輝, 八百隆文, 米永一郎
    日本物理学会第６２回年次大会, 9/21-24 2007, 北海道大学, 北海道.

81. (invited)
    透過電子顕微鏡内における光照射・分光法の開発と応用
    大野裕
    日本電子顕微鏡学会北海道支部ビーム誘起・励起効果研究部会, 3/6 2007, 北海道大学, 北海道.

82. (seminar)
    透過電子顕微鏡その場可視分光法による半導体ナノ構造の光学特性評価
    大野裕
    大阪大学大学院理学研究科21世紀COEセミナー, 12/22 2006, 大阪大学, 大阪.

83. 多重双晶をふくむAlGaAsエピタキシャル膜の光学特性
    大野裕, 山本直紀
    第５３回応用物理学関係連合講演会, 3/22-26 2006, 武蔵工業大学, 東京.

84. (organizer)
    断面STM法およびTEM-CL法による半導体界面の原子・電子構造
    大野裕
    第１５回格子欠陥フォーラム, 9/22-24 2005, 琵琶レイクオーツカホテル, 滋賀.

85. 劈開ＳＴＭ法によるn-GaAs:Si中の積層欠陥の電子状態
    大野裕
    日本物理学会２００５年秋季大会, 9/19-22 2005, 同志社大学, 京都.

86. 光照射下偏光カソードルミネセンス法で調べるZnSe薄膜中の90^oα部分転位の光誘起運動
    大野裕
    日本電子顕微鏡学会第６１回学術講演会, 6/1-3 2005, つくば国際会議場, 茨城.

87. 断面ＳＴＭ法およびＴＥＭ内偏光カソードルミネセンス法で調べるCuPt型GaInP薄膜中の反位相境界の光学特性
    大野裕
    日本電子顕微鏡学会第６１回学術講演会, 6/1-3 2005, つくば国際会議場, 茨城.

88. ＴＥＭ内偏光カソードルミネセンス法で調べるAlGaAs薄膜中の双晶面の光学特性
    大野裕, 山本直紀
    日本電子顕微鏡学会第６１回学術講演会, 6/1-3 2005, つくば国際会議場, 茨城.

89. CuPt型GaInP中の反位相境界に自己形成された量子井戸構造からの偏光発光
    大野裕
    第５２回応用物理学関係連合講演会, 3/29-4/1 2005, 埼玉大学, 埼玉.

90. ZnSe中の転位の局在エネルギー準位：光照射その場偏光カソードルミネセンス法
    大野裕
    第５２回応用物理学関係連合講演会, 3/29-4/1 2005, 埼玉大学, 埼玉.

91. AlGaAs中の多重双晶の光学特性
    大野裕, 山本直紀
    日本物理学会第６０回年次大会, 3/24-27 2005, 東京理科大学, 千葉.

92. TEM-CL法による双晶面が存在するAlGaAsの光学特性の評価
    大野裕, 山本直紀
    日本物理学会２００４年秋季大会, 9/12-15 2004, 青森大学, 青森.

93. 再成長界面を基点に形成されるAlGaAs中の双晶の光学特性
    大野裕, 望月多恵, 藤井克司
    日本物理学会第５９回年次大会, 3/27-30 2004, 九州大学, 福岡.

94. (invited)
    半導体ナノ構造の形成メカニズムとその応用の可能性:Si表面ナノホール,拡張欠陥を中心として
    大野裕
    第１３回格子欠陥フォーラム, 9/23-25 2003, 鷲羽山下電ホテル, 岡山.

95. ZnSe薄膜中における積層欠陥の光誘起成長（TEM内光照射その場観察）
    大野裕
    日本物理学会２００３年秋季大会, 9/20-23 2003, 岡山大学, 岡山.

96. (seminar)
    ZnSe薄膜中の積層欠陥；その原子構造と電子状態モデル
    大野裕
    SPring-8高輝度光科学研究センターセミナー, 1/27 2003, SPring-8, 兵庫.

97. (seminar)
    透過電子顕微鏡内での光・電子照射法による半導体格子欠陥の研究
    大野裕
    東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻物理実験学講座セミナー, 12/11 2002, 東京大学, 東京.

98. ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の形成機構
    大野裕, 足立直人, 白濱武郎, 竹田精治
    日本結晶学会２００２年秋季大会, 12/11-12 2002, 東京大学物性研, 東京.

99. ZnSe薄膜中における光照射による積層欠陥の形成（電子顕微鏡その場観察）
    大野裕, 足立直人, 竹田精治
    日本物理学会２００２年秋季大会, 9/6-9 2002, 中部大学, 愛知.

100. 面欠陥からの偏光CL光の定量解析
     大野裕, 竹田精治
     日本物理学会第５７回年次大会, 3/24-27 2002, 立命館大学, 滋賀.

101. (seminar)
     TEM-CL法および劈開STM法によるCuPt型GaInP中の反位相境界の研究
     大野裕
     産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門セミナー, 1/30-27 2002, 産業技術総合研究所, 茨城.

102. 劈開ＳＴＭ法によるCuPt型GaInP中の反位相境界の研究
     大野裕, 竹田精治
     日本物理学会２００１年秋季大会, 9/17-20 2001, 徳島文理大学, 徳島.

103. (invited)
     偏光ＣＬ−ＴＥＭ法による半導体ナノ構造の光物性評価
     大野裕, 竹田精治
     日本電子顕微鏡学会第５７回学術講演会, 5/10-12 2001, アクロス福岡, 福岡.

104. シリコン表面ナノホール形成の初期過程
     大野裕, 馬淵敏暢, 河野日出夫, 竹田精治
     第４８回応用物理学関係連合講演会, 3/28-31 2001, 明治大学, 東京.

105. シリコン表面ナノホールの配列機構
     大野裕, 竹田精治
     第４８回応用物理学関係連合講演会, 3/28-31 2001, 明治大学, 東京.

106. シリコン表面ナノホールのexcavationメカニズム
     大野裕, 馬淵敏暢, 河野日出夫, 竹田精治
     日本物理学会第５６回年次大会, 3/27-30 2001, 中央大学, 東京.

107. ( invited, tutorial)
     ＣＬ法による電子状態解析の基礎
     大野裕
     日本電子顕微鏡学会関西支部・平成１２年度電子顕微鏡技術研究会（非生物系）, 12/8 2000, 大阪大学, 大阪.

108. シリコン表面ナノホールの形成機構
     大野裕, 山崎順, 竹田精治
     日本物理学会第５５回年次大会, 9/22-25 2000, 新潟大学, 新潟.

109. シリコンナノホールの極低温における形成過程
     大野裕, 山崎順, 竹田精治
     日本物理学会２０００年春の分科会, 3/22-25 2000, 関西大学, 大阪.

110. 相変態研究のための可視分光−透過電子顕微鏡複合法の開発とその応用
     大野裕, 竹田精治, 河野日出夫
     科研費特定領域研究「材料組織制御をめざした相変態の微視的機構の解明」研究成果発表会, 1/29-31 2000, 京都大学・京大会館, 京都.

111. ＴＥＭ−ＣＬ法による自己形成量子井戸構造の研究
     大野裕, 竹田精治
     東北大学金属材料研究所平成１１年度研究会, 1/13-14 2000, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

112. ＧａＩｎＰ中の反位相境界に自己形成された量子井戸構造
     大野裕, 竹田精治
     日本物理学会１９９９年秋の分科会, 9/24-27 1999, 岩手大学, 岩手.

113. ＧａＩｎＰ中の自己形成量子井戸構造からの発光
     大野裕, 竹田精治
     第６０回応用物理学会学術講演会, 9/1-4 1999, 甲南大学, 兵庫.

114. ＧａＩｎＰ中の反位相境界に起因する局在電子準位
     大野裕, 竹田精治
     日本物理学会第５４回年会, 3/28-31 1999, 広島大学, 広島.

115. ＧａＩｎＰの反位相境界に起因する電子線誘起発光
     大野裕, 竹田精治
     第４６回応用物理学関係連合講演会, 3/28-31 1999, 東京理科大学, 千葉.

116. 窒化物半導体ｃＢＮ中の窒素バブルの形成
     大野裕, 秋元成, 竹田精治
     第４６回応用物理学関係連合講演会, 3/28-31 1999, 東京理科大学, 千葉.

117. 構造が制御された水素導入シリコン極微結晶の光学特性
     大野裕, 竹田精治
     科研費特定領域研究「サブナノ格子物質におけるプロチウム新機能」研究成果発表会, 1/21-22 1999, KKR Hotel Tokyo, 東京.

118. 自然超格子ＧａＩｎＰにおける反位相境界の光学的性質
     大野裕, 竹田精治
     日本物理学会１９９８年秋の分科会, 9/25-28 1998, 琉球大学・沖縄国際大学, 沖縄.

119. 電子顕微鏡内その場可視分光法によるＣｕＰｔ型自然超格子ＧａＩｎＰの電子線誘起異常不規則化の研究
     大野裕, 竹田精治
     日本電子顕微鏡学会第５４回学術講演会, 5/13-15 1998, 仙台国際センター, 宮城.

120. ＣｕＰｔ型自然超格子ＧａＩｎＰにおける電子線照射誘起欠陥反応
     大野裕, 河井康幸, 竹田精治
     日本物理学会第５３回年会, 3/30-4/2 1998, 東邦大学・日本大学, 千葉.

121. ＣｕＰｔ型自然超格子ＧａＩｎＰの電子線照射による不規則化
     大野裕, 河井康幸, 竹田精治
     第４５回応用物理学関係連合講演会, 3/28-31 1998, 東京工科大学, 東京.

122. (invited)
     ＧａＰおよびＧａＩｎＰ中の電子線誘起欠陥反応（ＴＥＭ−ＣＬ法）
     大野裕
     日本電子顕微鏡学会第４２回シンポジウム, 10/31-11/1 1997, 滝野川会舘, 東京.

123. (invited)
     ＴＥＭ内その場可視分光測定法の開発とその応用
     大野裕, 竹田精治
     日本電子顕微鏡学会第４１回シンポジウム, 10/24-26 1996, 京都工芸繊維大学, 京都.

124. ＩｎＰにおける点欠陥の拡散過程
     大野裕, 竹田精治, 平田光兒
     日本物理学会１９９６年秋の分科会, 10/1-4 1996, 山口大学, 山口.

125. (invited)
     ＴＥＭ内その場フォトルミネセンス法による半導体微細構造研究
     大野裕
     日本物理学会１９９６年秋の分科会, 10/1-4 1996, 山口大学, 山口.

126. ＩｎＰ中の格子間原子の拡散過程（その場透過型電子顕微鏡法）
     大野裕, 竹田精治, 平田光兒
     第５７回応用物理学会学術講演会, 9/7-10 1996, 九州産業大学, 福岡.

127. ＩＩＩ−Ｖ族半導体の電子照射効果
     大野裕, 竹田精治, 野田憲秀
     東北大学金属材料研究所平成７年共同研究会, 11/6-7 1995, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

128. (invited)
     ＴＥＭ内その場ＰＬ／ＣＬ測定による半導体微細構造の研究
     大野裕
     日本電子顕微鏡学会／電子顕微鏡とニューマイクロスコープの基礎研究部会平成７年度研究会, 10/26-27 1995, 工学院大学, 東京.

129. ＧａＰの電子線照射誘起欠陥のＴＥＭ内その場分光測定
     大野裕, 竹田精治, 平田光兒
     日本物理学会１９９５年秋の分科会, 9/27-30 1995, 大阪府立大学, 大阪.

130. 化合物半導体ＧａＰにおける２次欠陥の成長過程
     大野裕, 竹田精治, 平田光兒
     日本物理学会第５０回年会, 3/28-31 1995, 神奈川大学, 神奈川.

131. (invited)
     電子顕微鏡内におけるその場ＰＬ測定
     大野裕
     日本電子顕微鏡学会／電子顕微鏡周辺機器の活用・開発とその応用に関する研究部会平成６年度研究会, 11/25 1994, 大阪大学, 大阪.

132. その場ＴＥＭ／ＰＬ法によるＣＶＤダイヤモンドの格子欠陥の研究
     大野裕, 竹田精治
     日本金属学会１９９４年秋期大会, 10/8-10 1994, 九州大学, 福岡.

133. ＴＥＭ内その場ＰＬ測定によるＣＶＤダイヤモンドの格子欠陥の研究
     大野裕, 竹田精治
     第５５回応用物理学会学術講演会, 9/17-22 1994, 名城大学, 名古屋.

134. ＴＥＭ法によるＧａＰ中の点欠陥移動度の評価
     大野裕, 竹田精治, 平田光兒
     日本物理学会１９９４年秋の分科会, 9/2-5 1994, 静岡大学, 静岡.

135. ＧａＰの電子線誘起欠陥
     大野裕, 竹田精治, 平田光兒
     日本物理学会第４９回年会, 3/28-31 1994, 福岡工業大学, 福岡.

136. (invited)
     ＴＥＭ−ラマン分光による格子欠陥研究の可能性
     大野裕, 竹田精治, 平田光兒
     日本電子顕微鏡学会／電子顕微鏡周辺機器の活用・開発とその応用に関する研究部会平成４年度研究会, 12/11 1992, 千里ライフサイエンスセンター, 大阪.

137. ダイヤモンドの熱ルミネセンスＩＶ
     大野裕, 西田良男, 横田嘉宏, 平木昭夫, 岡田守民, 矢津修示
     日本物理学会第４７回年会, 3/27-30 1992, 慶応義塾大学, 神奈川.

138. ダイヤモンドの格子欠陥による熱ルミネセンスの増強
     大野裕, 西田良男, 岡田守民, 中嶋猛, 佐藤周
     京都大学原子炉実験所第２６回学術講演会, 2/3-4 1992, 京都大学原子炉実験所, 大阪.

139. ダイヤモンドの熱ルミネセンスＩＩＩ
     大野裕, 西田良男, 横田嘉宏, 平木昭夫, 岡田守民, 矢津修示
     日本物理学会第４６回年会, 9/27-30 1991, 北海道大学, 北海道.

140. 合成ダイヤモンドの熱ルミネセンスの格子欠陥による増感
     大野裕, 西田良男, 岡田守民, 矢津修示
     第４回ダイヤモンドシンポジウム, 1/22-23 1991, ホテルニューオータニ長岡, 新潟.

141. ダイヤモンドのサーモルミネセンスＩＩ
     大野裕, 西田良男, 横田嘉宏, 河原田洋, 平木昭夫, 岡田守民
     日本物理学会１９９０年秋の分科会, 10/2-5 1990, 岐阜大学, 岐阜.

142. ダイヤモンドのサーモルミネセンス
     大野裕, 錦織均, 美田佳三, 西田良男, 横田嘉宏, 河原田洋, 平木昭夫
     日本物理学会第４５回年会, 3/30-4/2 1990, 大阪大学, 大阪.

1. シリコン非対称傾角粒界の形成過程の観察
   大野裕, 斉藤光, 梁剣波, 重川直輝, 井上耕治, 永井康介, 波多聰
   東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター 2022年度大洗・アルファ合同研究会, 9/28-30 2022 (online).

2. 太陽電池用多結晶Si中の転位発生源 -TEMと多結晶材料情報学に基づく解析-
   大野裕, 山腰健太, 横井達矢, 松永克志, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 井上耕治, 永井康介, 宇佐美徳隆
   第2回日本太陽光発電学会学術講演会, 6/28-29 2022,金沢文化ホール , 石川.

3. シリコン粒界におけるヒ素ドーパントの偏析機構
   大野裕, 清水康雄, JieRen, 横井達也, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 沓掛健太朗, 藤原航三, 中村篤智, 松永克志
   東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター 2021年度大洗・アルファ合同研究会, 9/29-10/1 2021 (online).

4. 傾角のずれたΣ3{111}対称傾角粒界の不純物偏析能
   大野裕，沓掛健太朗，玉岡武泰，竹田精治，清水康雄，海老澤直樹，井上耕治，永井康介，宇佐美徳隆
   東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター 平成３０年度大洗研究会, 10/4-5 2018, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

5. Grain boundary segregation in mono-like Si
   Y. Ohno, K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, Y. Shimizu, K. Inoue, N. Ebisawa, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda
   金属材料研究所第132回講演会, 11/24-25 2016, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

6. TEM-3次元アトムプローブ複合法で評価したSi中の大角粒界の不純物
   大野裕, 井上海平, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介，吉田秀人，竹田精治, 田中真悟, 香山正憲
   東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター 平成２８年度大洗研究会, 9/29-30 2016, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

7. Grain boundary segregation in Si for solar cells studied by atom probe tomography
   Y. Ohno, K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama
   Workshop of TOHOKU university and SCK.CEN at Tokyo, 9/21-23 2015, Tokyo - FUKURACIA meeting room, Tokyo.

8. Impurity agglomeration into Σ3{111} and Σ9{114} grain boundaries in Si
   Y. Ohno, K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama
   東北大学研究所連携プロジェクト 第4期 平成26年度成果報告会, 2/2 2015, 東北大学, 宮城.

9. 3D gettering ability of Sigma-3{111} and Sigma-9{114} grain boundaries in Si
   Y. Ohno, K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama
   金属材料研究所第128回講演会, 11/27-28 2014, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

10. Interaction of dopant atoms with Sigma-9{114} grain boundaries in Si
    Y. Ohno, K. Inoue, S. Ninomiya, K. Kutsukake, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda
    金属材料研究所第127回講演会, 5/28 2014, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

11. 3次元アトムプローブ・TEM複合法によるSi中のΣ3対応粒界と不純物の相互作用評価
    大野裕, 井上海平，徳本有紀，沓掛健太郎，米永一郎，海老澤直樹，高見澤悠，清水康雄，井上耕治，永井康介，吉田秀人，竹田精治
    東北大学研究所連携プロジェクト 第4期 平成25年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 2/5 2014, 東北大学, 宮城.

12. Interaction of dopant atoms with Sigma-3{111} grain boundaries in Si
    Y. Ohno, K. Inoue, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda
    金属材料研究所第126回講演会, 11/28-29 2013, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

13. Formation mechanism of striaes in <0-441>-oriented CZ-LiNbO₃ crystal
    Y. Ohno, K. Kutrsukake, T. Tokumoto, I. Yonenaga, T. Taishi, N. Bamba
    金属材料研究所第125回講演会, 5/22-23 2013, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

14. マリンスノーの海
    大野裕
    日本顕微鏡学会第69回学術講演会, 5/20-22 2012, ホテル阪急エキスポパーク, 大阪.

15. Optical properties of edge dislocations on {1-100} prismatic planes in ZnO
    Y. Ohno, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao
    東北大学研究所連携プロジェクト 第4期 平成24年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 2/5 2013, 東北大学, 宮城.

16. Cu fishbones in Si
    大野裕
    日本顕微鏡学会第68回学術講演会, 5/14-16 2012, つくば国際会議場, 茨城.

17. Interaction of dopant atoms with stacking faults in Si
    Y. Ohno, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Togase, S. R. Nishitani
    東北大学研究所連携プロジェクト 第3期 平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 3/5 2012, 東北大学, 宮城.

18. Impact of dopant atoms on stacking fault energy in Si crystals
    Y.Ohno, T.Tokumoto, H. Taneichi, I.Yonenaga, K. Togase, S. R. Nishitani
    金属材料研究所第122回講演会, 11/24-25 2011, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

19. Energy levels of dislocations in GaN and ZnO
    大野裕, 徳本有紀，米永一郎，藤井克司，八百隆文 特定領域「窒化物光半導体のフロンティア　−材料潜在能力の極限発現−」最終成果報告公開シンポジウム, 8/3-4 2011, 東京ガーデンパレス, 東京

20. ZnO中の{1-100}面上転位の電子状態
    大野裕，藤井克司，八百隆文，徳本有紀，米永一郎
    金属材料研究所第121回講演会, 5/24-25 2011, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

21. Electronic properties of dislocations in ZnO and GaN
    Y. Ohno, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao, S. Ichikawa, N. Yamamoto
    東北大学研究所連携プロジェクト 第3期 平成22年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 2/9 2011, 東北大学, 宮城.

22. Development of an apparatus for in-situ micro- and near-field optical measurements in TEM
    Y. Ohno, I. Yonenaga
    金属材料研究所第120回講演会, 11/24-25 2010, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

23. Electronic properties of dislocations in wurtzite ZnO and GaN
    Y. Ohno, Y. Tokumoto, I. Yonenaga
    金属材料研究所第120回講演会, 11/24-25 2010, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

24. チョクラルスキー成長シリコン中の転位の構造特性に対するドーピング効果
    大野裕, 太子敏則, 米永一郎
    金属材料研究所第119回講演会, 5/27-28 2010, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

25. Copper defects in heavily boron doped silicon single-crystals grown by Czochralski method
    Y. Ohno, T. Taishi, K. Shoda, I. Yonenaga
    金属材料研究所第118回講演会, 11/26-27 2009, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

26. 高濃度リン添加シリコン中の転位の構造特性
    大野裕, 白川徹, 太子敏則, 米永一郎
    金属材料研究所第117回講演会, 5/14-15 2009, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

27. Opto-TEM法によるZnO中の転位の局在電子状態解析
    大野裕, 太子敏則, 米永一郎
    金属材料研究所第116回講演会, 11/26-27 2008, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

28. TEM内その場可視分光法によるw-ZnO単結晶中の転位の局在電子状態解析
    大野裕, 太子敏則, 米永一郎
    第4回励起ナノプロセス研究会, 11/21-22 2008, 和歌山大学サテライト フォルテワジマ, 和歌山.

29. ウルツ鉱型酸化亜鉛中の転位に関係する局在電子準位
    大野裕, 小泉晴比古,太子敏則, 藤井克司, 後藤裕輝, 八百隆文, 米永一郎
    金属材料研究所第115回講演会, 5/13-14 2008, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

30. 塑性変形した ZnO単結晶の光学特性
    大野裕, 小泉晴比古, 藤井克司, 後藤裕輝, 八百隆文, 米永一郎
    金属材料研究所第114回講演会, 11/29-30 2007, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

31. フレッシュな転位を導入したZnO単結晶の力学特性および光学特性
    大野裕, 小泉晴比古, 太子敏則, 藤井克司, 後藤裕輝, 八百隆文, 米永一郎
    第68回応用物理学会学術講演会, 9/4-8 2007, 北海道工業大学, 北海道.

32. (excellent poster prize)
    AlGaAs薄膜中の多重双晶の電子状態
    大野裕, 山本直紀, 太子敏則, 米永一郎, 正田薫, 竹田精治
    金属材料研究所第63回学術講演会, 5/24-25 2007, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

33. MBE-VLS法で成長したZnSeナノワイヤーの光学特性
    大野裕, 白濱武郎, 石墨淳, 金光義彦
    科研費特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開−ポストスケーリングテクノロジー」研究成果発表会, 3/15-16 2007, 東京工業大学, 東京.

34. MBE-VLS法で成長したZnSeナノワイヤーの光学特性
    大野裕, 白濱武郎, 石墨淳, 金光義彦
    日本物理学会２００４年秋季大会, 9/12-15 2004, 青森大学, 青森.

35. ZnSe薄膜中における積層欠陥の光誘起成長
    大野裕, 竹田精治
    日本結晶学会２００２年秋季大会, 12/11-12 2002, 東京大学物性研, 東京.

36. ダイヤモンドの熱ルミネセンスの格子欠陥による増強
    大野裕, 西田良男, 岡田守民, 横田嘉宏, 平木昭夫, 矢津修示
    １９９１年度光物性研究会, 5/24-25 1991, 上野市交流研修センター, 三重.

1. (Invited)
   ボンディングファーストによるX-on-diamond構造及び素子応用
   重川直輝, 大野裕, 梁剣波
   第41回電子材料シンポジウム(EMS41), 10/19-21 2022, ダイワロイヤルホテル, 奈良.

2. 高出力デバイス応用に向けたGaN/3C-SiC on-diamond HEMT構造の作製
   香川諒, 重川直輝, 梁剣波, 川村啓介, 坂井田佳紀, 大内澄人, 浦谷泰基, 清水康夫, 大野裕
   第83回応用物理学会秋季学術講演会, 9/20-23 2022, 東北大学, 宮城.

3. 表面活性化接合法によるGaN/GaN 接合界面の評価
   澤井一樹, 梁剣波, 清水康雄, 大野裕, 永井康介, 重川直輝
   第83回応用物理学会秋季学術講演会, 9/20-23 2022, 東北大学, 宮城.

4. パワーデバイス応用に向けたダイヤモンドと異種材料の直接接合技術の研究開発
   梁剣波, 大野裕, 重川直輝
   実装フェスタ関西2022, 7/7-8 2022, パナソニックリゾート大阪, 大阪.

5. CrCoNiミディアムエントロピー合金における双晶界面への偏析
   井上耕治, 嶋田雄介, 大野裕
   金属材料研究所第142回講演会, 5/24 2022, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

6. Cz-LiTaO₃結晶インゴットにおける多結晶化過程の観察
   大迫千峰, 土橋大輔, 東風谷敏男, 大野裕
   第69回応用物理学会春季学術講演会, 3/22-26 2022 (青山学院大, online).

7. GaN/ダイヤモンド接合界面の特性評価
   梁剣波, 清水康雄, 大野裕, 永井康介, 重川直輝
   第69回応用物理学会春季学術講演会, 3/22-26 2022 (青山学院大, online).

8. 非対称粒界の粒界構造を網羅する人工粒界形成とキャリア再結合速度への影響解明
   福田祐介, 沓掛健太朗, 小島拓人, 大野裕, 宇佐美徳隆
   第69回応用物理学会春季学術講演会, 3/22-26 2022 (青山学院大, online).

9. 多結晶シリコンにおいて粒界の構造が少数キャリア再結合特性に与える影響
   福田祐介, 沓掛健太朗, 小島拓人, 大野裕, 宇佐美徳隆
   第31 回 材料フォーラムTOKAI, 11/11 2021 (online).

10. 多種データにより再現された結晶成長中の多結晶Si 組織における応力解析
    山腰健太, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 田中博之, 大野裕, 宇佐美徳隆
    第18回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 10/14-15 2021 (online).

11. 多結晶Si中の粒界構造の変化がキャリア再結合速度に与える影響
    福田祐介, 沓掛健太朗, 小島拓人, 大野裕, 宇佐美徳隆
    第18回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 10/14-15 2021 (online).

12. ラマン分光法によるGaN/ダイヤモンド接合界面の残留 応力評価
    小林礼佳, 清水康雄, 大野裕, 金聖祐, 小山浩司, 嘉数誠, 重川直輝, 梁剣波
    第68回応用物理学会春季学術講演会, 3/16-19 2021 (online).

13. (Invited)
    高性能多結晶材料創製に向けた多結晶材料情報学の開拓
    宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 横井達矢, 大野裕
    日本物理学会第76回年次大会, 3/12-15 2021 (online).

14. (Invited)
    バルク多結晶成長のプロセスサイエンス
    宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 横井達矢, 大野裕
    日本結晶成長学会第49回結晶成長国内会議, 11/9-11 2020 (online).

15. (Invited)
    多結晶材料情報学による粒界構造の解明と制御に向けて
    宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 横井達矢, 大野裕
    第81回応用物理学会秋季学術講演会, 9/8-11 2020 (online).

16. Cz-LiTaO3単結晶インゴットにおける多結晶化発生点の構造
    大迫千峰, 梶ケ谷富男, 大野裕
    第67回応用物理学会春季学術講演会, 3/12-15 2020, 上智大学, 東京.

17. Ga₂O₃/3C-SiC接合界面の作製及び特性評価
    梁剣波, 清水康雄, 大野裕, 重川直輝
    第67回応用物理学会春季学術講演会, 3/12-15 2020, 上智大学, 東京.

18. GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価
    小林礼佳, 清水康雄, 大野裕, 金聖祐, 小山浩司, 重川直輝, 梁剣波
    第67回応用物理学会春季学術講演会, 3/12-15 2020, 上智大学, 東京.

19. 自立基板上GaNエピ層/GaAs直接接合界面のナノ構造評価
    廣瀬淳, 清水康雄, 大野裕, 梁剣波, 重川直輝
    第67回応用物理学会春季学術講演会, 3/12-15 2020, 上智大学, 東京.

20. (注目講演)
    多結晶材料情報学による高性能シリコンインゴットの創製に向けて
    宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, Abderahmane Boucetta, 小島拓人, 松本哲也, 工藤博章, 野田祐輔, 横井達矢, 清水康雄, 大野裕
    第80回応用物理学会秋季学術講演会, 9/18-21 2019, 北海道大学, 北海道.

21. 再結晶化したIn_xGa_1-xAsの結晶性
    堀田行紘, 平山賢太郎, 富永依里子, 大野裕, 上田修
    第80回応用物理学会秋季学術講演会, 9/18-21 2019, 北海道大学, 北海道.

22. 高出力パワーデバイス応用に向けたGaN/Diamond直接接合の作製
    梁剣波, 清水康雄, 大野裕, 永井康介, 嘉数誠, 金聖祐, Martin Kuball, 重川直輝
    第80回応用物理学会秋季学術講演会, 9/18-21 2019, 北海道大学, 北海道.

23. GaAs/Diamond直接接合の界面評価
    中村祐志, 清水康雄, 大野裕, 海老澤直樹, �･天卓, 山下雄一郎, 白崎謙次, 永井康介, 渡邊孝信, 嘉数誠, 重川直輝, 梁剣波
    第80回応用物理学会秋季学術講演会, 9/18-21 2019, 北海道大学, 北海道.

24. 表面活性化接合で形成したSi/GaAs界面の低温FIB法によるアトムプローブ評価
    清水康雄, 海老澤直樹, 大野裕, 梁剣波, 重川直輝, 永井康介
    第80回応用物理学会秋季学術講演会, 9/18-21 2019, 北海道大学, 北海道.

25. ハイパフォーマンス多結晶シリコンにおける転位クラスター発生機構
    田島和哉, 沓掛健太朗, 大野裕, 松本哲也, 工藤博章, 宇佐美徳隆
    学振175委員会 第16回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 7/4-5 2019, 宮崎市民プラザ, 宮崎.

26. LiTaO₃結晶中の小傾角粒界に並ぶ転位の解析(II)
    梶ヶ谷富男, 大野裕
    第66回応用物理学会春季学術講演会, 3/9-12 2019, 東京工業大学, 東京.

27. 表面活性化接合によるGaAs/GaAs界面における元素分布評価
    清水康雄, 海老澤直樹, 大野裕, 梁剣波, 重川直輝, 井上耕治, 永井康介
    第66回応用物理学会春季学術講演会, 3/9-12 2019, 東京工業大学, 東京.

28. 熱処理によるダイヤモンド/Si接合における界面挙動
    梁剣波, 清水康雄, 大野裕，重川直輝
    東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター 平成３０年度大洗研究会, 10/4-5 2018, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

29. (Invited)
    データ科学を活用した高品質多結晶材料創製に向けて
    宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 松本哲也, 工藤博章, 横井達矢,大野裕
    日本セラミックス協会-第31回秋季シンポジウム, 9/5-7 2018, 名古屋工業大学, 愛知.

30. (Keynote)
    データ科学を活用した材料創製・材料評価に向けて
    沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 工藤博章, 横井達矢, 羽山裕介, 大野裕, 井上憲一
    日本金属学会2018年春期(第162回)講演大会, 3/19-21 2018, 千葉工業大学, 千葉.

31. LiTaO₃結晶中の小傾角粒界に並ぶ転位の解析(I) −X線トポグラフ像とエッチピット像の対応−
    梶ヶ谷富男, 窪内裕太, 大野裕
    第65回応用物理学会春季学術講演会, 3/17-20 2018, 早稲田大学, 東京.

32. LiTaO₃結晶中の小傾角粒界に並ぶ転位の解析（�U）−透過電子顕微鏡を用いた転位の同定−
    窪内裕太, 梶ヶ谷富男, 大野裕
    第65回応用物理学会春季学術講演会, 3/17-20 2018, 早稲田大学, 東京.

33. Evaluation of mechanical properties of cubic-BN(111) bulk single crystal using nanoindentation
    M. Deura, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga, T. Taniguchi
    第36回電子材料シンポジウム, 11/8-10 2017, 長浜ロイヤルホテル, 滋賀.

34. データ科学的手法による効率的なマッピング(3)：測定点移動距離の検討
    沓掛健太朗, 菊地亮太, 大野裕, 下山幸治
    第78回応用物理学会秋季学術講演会, 9/5-8 2017, 福岡国際会議場, 福岡.

35. (イノベイティブPV論文賞)
    多結晶材料情報学によるスマートシリコンインゴットの創製に向けて
    宇佐美徳隆, 羽山優介, 高橋勲, 松本哲也, 工藤博章, 横井達矢, 松永克志, 沓掛健太朗, 大野裕
    独立行政法人日本学術振興会次世代の太陽光発電システム第175委員会 第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 7/20-21 2017, 名古屋大学, 愛知.

36. データ科学的手法を用いた効率的なマッピングの提案
    沓掛健太朗，菊地亮太，出浦桃子，大野裕，下山幸治，米永一郎
    独立行政法人日本学術振興会次世代の太陽光発電システム第175委員会 第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 7/20-21 2017, 名古屋大学, 愛知.

37. フェムト秒レーザー誘起周期構造の結晶性評価
    宮川鈴衣奈, 大野裕, 出浦桃子, 米永一郎, 江龍修
    第9回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 7/13-15 2017, 北海道大学, 北海道.

38. (Most excellent poster prize)
    データ科学的手法を用いた効率的なマッピングの提案
    沓掛健太朗，菊地亮太，出浦桃子，大野裕，下山幸治，米永一郎
    金属材料研究所第133回講演会, 5/26 2017, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

39. X線トポグラフィーを用いたLiTaO₃結晶に存在する欠陥の三次元解析
    窪内裕太, 梶ヶ谷富男, 杉山正史, 川村祥太郎, 大野裕, 米永一郎
    第64回応用物理学会春季学術講演会, 3/14-17 2017, パシフィコ横浜, 神奈川.

40. データ科学的手法による効率的なマッピングの検討(1)
    菊地亮太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 大野裕, 下山幸治, 米永一郎
    第64回応用物理学会春季学術講演会, 3/14-17 2017, パシフィコ横浜, 神奈川.

41. データ科学的手法による効率的なマッピングの検討(2)
    沓掛健太朗, 菊地亮太, 出浦桃子, 大野裕, 下山幸治, 米永一郎
    第64回応用物理学会春季学術講演会, 3/14-17 2017, パシフィコ横浜, 神奈川.

42. 顕微発光イメージングによるシリコン結晶中の粒界評価
    沓掛健太朗、出浦桃子、大野裕、米永一郎
    金属材料研究所第132回講演会, 11/24-25 2016, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

43. ナノインデンテーションにより評価した窒化ホウ素（BN）の機械的特性
    出浦桃子，沓掛健太朗，大野裕，米永一郎，谷口尚
    金属材料研究所第132回講演会, 11/24-25 2016, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

44. ウルツ鉱BNと立方晶BNの機械的特性の比較
    出浦桃子，沓掛健太朗，大野裕，米永一郎，谷口尚
    第77回応用物理学会秋季学術講演会, 9/13-16 2016, 朱鷺メッセ, 新潟.

45. Elastic properties of wurtzite-type BN evaluated by nanoindentation
    M. Deura, K. Kutsukake, Y. Ohno, H. Fukuyama, I. Yonenaga, T. Taniguchi
    第35回電子材料シンポジウム, 7/6-8 2016, ラフォーレ琵琶湖, 滋賀.

46. (invited)
    ナノインデンテーションを用いたInNの弾性特性の解明
    出浦桃子，沓掛健太朗，大野裕，米永一郎，王新強
    第8回 窒化物半導体結晶成長講演会, 5/9-10 2016, 京都大学, 京都.

47. タンタル酸リチウム結晶中の転位の観察
    梶ヶ谷富男、杉山正史、石川治男、大野裕、米永一郎
    第63回応用物理学会春季学術講演会, 3/19-22 2016, 東京工業大学, 東京.

48. ナノインデンテーションを用いたウルツ鉱構造窒化ホウ素（w-BN）の機械的特性評価
    出浦桃子, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎
    第63回応用物理学会春季学術講演会, 3/19-22 2016, 東京工業大学, 東京.

49. 太陽電池用多結晶Siの粒界での応力集中
    杉岡翔太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 大野裕, 米永一郎
    第63回応用物理学会春季学術講演会, 3/19-22 2016, 東京工業大学, 東京.

50. 坩堝内成長で得られる太陽電池用Si結晶の粒界での応力集中
    杉岡翔太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 大野裕, 米永一郎
    第7回薄膜太陽電池セミナー, 3/13-15 2016, 山形大学, 山形.

51. ゲルマニウム結晶中の酸素クラスター形成に対するスズ不純物濃度依存性
    井上海平, 村尾優, 太子敏則, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 大野裕, 米永一郎
    金属材料研究所第130回講演会, 11/25-26 2015, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

52. 太陽電池用モノライクSiインゴット中の有限要素法を用いた応力解析
    杉岡翔太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 大野裕, 米永一郎
    金属材料研究所第130回講演会, 11/25-26 2015, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

53. Si単結晶中の塑性変形で発生した転位に起因する深い準位の測定
    大崎洋範、出浦桃子、沓掛健太朗、大野裕、米永一郎
    金属材料研究所第130回講演会, 11/25-26 2015, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

54. 太陽電池用モノライクSiの結晶品質向上のための有限要素応力解析
    杉岡翔太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 大野裕, 米永一郎
    応用物理学会 結晶工学分科会主催・第4回結晶工学未来塾, 10/29 2015, 東京農工大学, 東京.

55. ゲルマニウム結晶中のサールドナー形成に対するスズ不純物濃度依存性
    井上海平, 太子敏則, 村尾優, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 大野裕, 米永一郎
    日本物理学会2015年秋季大会, 9/16-19 2015, 関西大学, 大阪.

56. Ge 積層欠陥中のドーパントの第一原理計算
    榊原健，西谷滋人，中村仁美，山本洋佑，大野裕，米永一郎
    日本物理学会2015年秋季大会, 9/16-19 2015, 関西大学, 大阪.

57. キャストSiはどこまでCZ-Siに近づけるか？-粒界と転位の影響-
    沓掛健太朗，出浦桃子，大野裕，米永一郎
    第76回応用物理学会秋季学術講演会, 9/13-16 2015, 名古屋国際会議場, 愛知.

58. Micro-scale analysis of SiC layer by carbonization of Si substrates
    M. Deura, Y. Ohno, H. Fukuyama, I. Yonenaga
    第34回電子材料シンポジウム, 7/15-17 2015, ラフォーレ琵琶湖, 滋賀.

59. 顕微PLイメージングによるシリコン結晶中の粒界特性評価
    沓掛健太朗，二宮駿也，杉岡翔太, 出浦桃子，大野裕，宇佐美徳隆，米永一郎
    日本学術振興会 次世代の太陽光発電システム第175委員会 第12回シンポジウム, 5/28-29 2015, 郡山, 福島.

60. 太陽電池用モノライクSi成長中の結晶方位と応力の関係
    杉岡翔太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 大野裕, 米永一郎
    日本学術振興会 次世代の太陽光発電システム第175委員会 第12回シンポジウム, 5/28-29 2015, 郡山, 福島.

61. InNの結晶特性と硬度・ヤング率の相関
    出浦桃子，大久保泰，徳本有紀，沓掛健太朗，大野裕，米永一郎
    第7回 窒化物半導体結晶成長講演会（プレISGN-6）, 5/7 2015, 片平さくらホール, 宮城.

62. Si基板の表面炭化により形成したSiC層のTEM観察による微細構造評価
    出浦桃子，大野裕，福山博之，米永一郎
    日本物理学会第70回年次大会, 3/21-24 2015, 早稲田大学, 東京.

63. Ge中のサーマルドナー形成の固溶酸素濃度依存性
    井上海平, 太子敏則, 村尾優, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 大野裕, 米永一郎
    日本物理学会第70回年次大会, 3/21-24 2015, 早稲田大学, 東京.

64. 窒化インジウム薄膜の硬度・ヤング率と結晶特性の関係
    大久保泰, 徳本有紀, 出浦桃子, 後藤頼良, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎
    日本物理学会第70回年次大会, 3/21-24 2015, 早稲田大学, 東京.

65. 顕微PLイメージング：多結晶シリコンウエハ評価法としての可能性
    二宮駿也，沓掛健太朗，出浦桃子，大野裕，宇佐美徳隆，米永一郎
    第62回応用物理学会春季学術講演会, 3/11-14 2015, 東海大学, 神奈川.

66. 太陽電池用モノライクSi中の転位発生抑制のための応力解析
    杉岡翔太，沓掛健太朗，出浦桃子，大野裕，米永一郎
    第62回応用物理学会春季学術講演会, 3/11-14 2015, 東海大学, 神奈川.

67. 太陽電池用Siインゴットの比較研究：従来多結晶、微細粒多結晶、モノライク
    沓掛健太朗，出浦桃子，大野裕，米永一郎
    東北大学研究所連携プロジェクト 第4期 平成26年度成果報告会, 2/2 2015, 東北大学, 宮城.

68. COガスを用いたSi表面炭化により形成したSiC層の局所構造解析
    出浦桃子，大野裕，福山博之，米永一郎
    東北大学研究所連携プロジェクト 第4期 平成26年度成果報告会, 2/2 2015, 東北大学, 宮城.

69. Ge中のSn不純物による酸素集積の抑制効果
    井上海平，太子敏則，村尾優，沓掛健太朗，出浦桃子，大野裕，米永一郎
    東北大学研究所連携プロジェクト 第4期 平成26年度成果報告会, 2/2 2015, 東北大学, 宮城.

70. シリコン中の格子間酸素の300℃-450℃における拡散と減少挙動
    吉岡尭頌，出浦桃子，沓掛健太朗，大野裕，米永一郎
    東北大学研究所連携プロジェクト 第4期 平成26年度成果報告会, 2/2 2015, 東北大学, 宮城.

71. ナノインデンテーション法による窒化インジウム結晶の硬度・ヤング率評価
    大久保泰，徳本有紀，出浦桃子，後藤頼良，沓掛健太朗，大野裕，米永一郎
    東北大学研究所連携プロジェクト 第4期 平成26年度成果報告会, 2/2 2015, 東北大学, 宮城.

72. 顕微PLイメージを用いたSi結晶中の粒界の電気的特性の定量評価
    二宮駿也，沓掛健太朗，出浦桃子，大野裕，宇佐美徳隆，米永一郎
    東北大学研究所連携プロジェクト 第4期 平成26年度成果報告会, 2/2 2015, 東北大学, 宮城.

73. Si表面炭化により形成したSiC層の断面TEM観察
    出浦桃子，大野裕，福山博之，米永一郎
    金属材料研究所第128回講演会, 11/27-28 2014, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

74. The Effect of Sn impurities on oxygen diffusion in Ge
    K. Inoue, T. Taishi, Y. Murao, K. Kutsukake, M. Deura, Y. Ohno, I. Yonenaga
    金属材料研究所第128回講演会, 11/27-28 2014, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

75. 窒化インジウム薄膜の硬度・ヤング率と結晶特性の関係
    大久保泰, 徳本有紀, 出浦桃子, 後藤頼良, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎
    金属材料研究所第128回講演会, 11/27-28 2014, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

76. PLイメージングを用いたSi結晶における粒界の電気的特性評価の定量化
    二宮駿也，沓掛健太朗，出浦桃子，大野裕，宇佐美徳隆，米永一郎
    第3回結晶工学未来塾, 11/13 2014, 学習院大学, 東京.

77. COガスを用いたSi表面炭化により形成したSiC層の微細構造評価
    出浦桃子，大野裕，福山博之，米永一郎
    第75回応用物理学会秋季学術講演会, 9/17-20 2014, 北海道大学, 北海道.

78. 顕微PLイメージングによるSi結晶中粒界の特性評価
    二宮駿也，沓掛健太朗，出浦桃子，大野裕，宇佐美徳隆，米永一郎
    第75回応用物理学会秋季学術講演会, 9/17-20 2014, 北海道大学, 北海道.

79. Ge濃度の異なるSbドープSiGe薄膜中の貫通転位運動
    山下善文，牧慎也，伏見竜也，西川亘，林靖彦，大野裕，米永一郎
    日本物理学会2014年秋季大会, 9/7-10 2014, 中部大学, 愛知.

80. ナノインデンテーション法によるInNの硬度とヤング率評価
    大久保泰, 徳本有紀, 後藤頼良, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 大野裕, 米永一郎
    日本物理学会2014年秋季大会, 9/7-10 2014, 中部大学, 愛知.

81. (lecture)
    粒界特性を制御したシリコン太陽電池結晶の開発
    米永一郎，大野裕，沓掛健太朗
    金属材料研究所第84回夏期講習会, 7/28-29 2014, 仙台国際会議場, 宮城.

82. 窒化物半導体成長に向けたSi表面炭化によるSiC形成のCO分圧依存性
    出浦桃子，大野裕，米永一郎，福山博之
    日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2014春季講演会 第6回窒化物半導体結晶成長講演会 , 7/25-26 2014, 名城大学, 愛知.

83. 太陽電池用シリコン結晶の比較研究：モノライク vs HP多結晶
    沓掛健太朗，出浦桃子，大野裕，米永一郎
    日本学術振興会 産学協力研究委員会 次世代の太陽光発電システム第175委員会 第11回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 7/3-4 2014, 宮崎大学, 宮崎.

84. 高空間分解能測定によるSi結晶のPL強度と転位密度の相関解明
    二宮俊也，沓掛健太朗，出浦桃子，大野裕，宇佐美徳隆，米永一郎
    日本学術振興会 産学協力研究委員会 次世代の太陽光発電システム第175委員会 第11回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 7/3-4 2014, 宮崎大学, 宮崎.

85. 太陽電池用シリコンインゴットの比較研究：モノライクvs 微細粒多結晶
    沓掛健太朗，大野裕，出浦桃子，米永一郎
    金属材料研究所第127回講演会, 5/28 2014, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

86. 薄層Sbによる高密度転位導入Si結晶中のMnSi相拡大化
    後藤 頼良，大野裕，米永一郎
    金属材料研究所第127回講演会, 5/28 2014, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

87. Thermal Equilibrium State of Thermal Double Donor in Ge
    K. Inoue, T. Taishi, Y. Murao, K. Kutsukake, M. Deura, Y. Ohno, I. Yonenaga
    金属材料研究所第127回講演会, 5/28 2014, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

88. シリコン中の格子間酸素の300-450Cにおける拡散
    吉岡尭頌, 出浦桃子, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎
    金属材料研究所第127回講演会, 5/28 2014, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

89. Si結晶中の転位密度とPL強度の高空間分解能の相関評価
    二宮駿也，沓掛健太朗，大野裕，出浦桃子，宇佐美徳隆，米永 一郎
    金属材料研究所第127回講演会, 5/28 2014, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

90. ナノインデンテーション法によるInNの機械的特性評価
    大久保泰，徳本有紀，後藤頼良，沓掛健太朗，出浦桃子，大野裕，米永一郎
    金属材料研究所第127回講演会, 5/28 2014, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

91. (invited)
    太陽電池用シリコン結晶の材料研究
    沓掛健太朗，大野裕，出浦桃子，米永一郎
    平成26年度資源素材学会春季大会, 3/26-28 2014, 東京大学, 東京.

92. 太陽電池用モノライクSiの結晶粒界エンジニアリング
    沓掛健太朗，大野裕，出浦桃子，米永一郎
    東北大学研究所連携プロジェクト 第4期 平成25年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 2/5 2014, 東北大学, 宮城.

93. 高密度に転位を導入したSi結晶中へのMn拡散による合金層形成
    後藤頼良，大野裕，米永一郎
    東北大学研究所連携プロジェクト 第4期 平成25年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 2/5 2014, 東北大学, 宮城.

94. Pb同時添加による高濃度Al添加シリコン結晶の育成
    井上海平，後藤瀬良，沓掛健太朗，出浦桃子，大野裕，米永一郎
    東北大学研究所連携プロジェクト 第4期 平成25年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 2/5 2014, 東北大学, 宮城.

95. 低温域でのシリコン結晶中の転位の挙動
    井元裕也，出浦桃子，沓掛健太朗，大野裕，米永一郎
    東北大学研究所連携プロジェクト 第4期 平成25年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 2/5 2014, 東北大学, 宮城.

96. ナノインデンテーション法によるInN薄膜の機械的特性の研究
    大久保泰，後藤頼良，沓掛健太朗，出浦桃子，大野裕，米永一郎，徳本有紀
    東北大学研究所連携プロジェクト 第4期 平成25年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 2/5 2014, 東北大学, 宮城.

97. モノライクSi中の転位の分布と伝搬の評価
    二宮駿也，沓掛健太朗，出浦桃子，大野裕，宇佐美徳隆，米永一郎
    東北大学研究所連携プロジェクト 第4期 平成25年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 2/5 2014, 東北大学, 宮城.

98. 種々のSbドープSiGeエピタキシャル膜中の転位運動
    牧慎也，伏見竜也，山下善文，大野裕，米永一郎,西川亘,林靖彦
    第61回応用物理学会春季学術講演会, 3/17-20 2014, 青山学院大学, 神奈川.

99. モノライクSi vs HP多結晶
    沓掛健太郎, 大野裕, 出浦桃子, 米永一郎
    第61回応用物理学会春季学術講演会, 3/17-20 2014, 青山学院大学, 神奈川.

100. PLイメージの強度と転位密度の定量的な評価
     二宮駿也, 沓掛健太郎, 大野裕, 出浦桃子, 宇佐美徳隆, 米永一郎
     第61回応用物理学会春季学術講演会, 3/17-20 2014, 青山学院大学, 神奈川.

101. ゲルマニウム中の酸素クラスターの熱平衡状態
     井上海平、太子敏則、村尾優、沓掛健太郎、出浦桃子、大野裕、米永一郎
     日本物理学会第69回年次大会, 3/27-30 2014, 東海大学, 神奈川.

102. シリコンの脆性-延性遷移温度での転位の運動と芯構造
     井元裕也,出浦桃子,沓掛健太朗,大野裕,米永一郎
     日本物理学会第69回年次大会, 3/27-30 2014, 東海大学, 神奈川.

103. 機能性結晶粒界を利用したモノライクSiのインゴット成長
     沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 大野裕, 米永一郎
     金属材料研究所第126回講演会, 11/28-29 2013, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

104. 高密度に転位を導入したSi結晶へのMn拡散によるMnSi相形成
     後藤頼良, 大野裕, 米永一郎
     金属材料研究所第126回講演会, 11/28-29 2013, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

105. Pb同時添加による高濃度Al含有CZ-Siの育成
     井上海平, 沓掛健太朗, 徳本有紀, 大野裕, 米永一郎
     金属材料研究所第126回講演会, 11/28-29 2013, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

106. シリコン結晶中における転位の低温での運動
     井元裕也, 村尾優, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎
     金属材料研究所第126回講演会, 11/28-29 2013, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

107. 太陽電池用モノライクSiの成長と転位分布評価
     二宮駿也, 沓掛健太朗, 大野裕, 宇佐美徳隆, 米永一郎
     金属材料研究所第126回講演会, 11/28-29 2013, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

108. 高密度に転位を含有するSi結晶表面でのMn-Si合金相形成
     後藤頼良, 大野裕，米永一郎
     第43回結晶成長国内会議, 11/6-8 2013, 長野市生涯学習センター, 長野.

109. ゲルマニウムにおける酸素クラスター形成
     井上海平, 太子敏則, 村尾優, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎
     第43回結晶成長国内会議, 11/6-8 2013, 長野市生涯学習センター, 長野.

110. 各種の不純物を高濃度に添加したシリコン結晶の格子定数
     米永一郎, 後藤頼良, 表和彦, 井上海平, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 大野裕
     日本物理学会2013年秋季大会, 9/25-28 2013, 徳島大学, 徳島.

111. Al_xGa_1-xN薄膜の混晶硬化と秩序構造との相関
     徳本有紀, 種市寛人, 沓掛健太朗, 大野裕, 三宅秀人, 米永一郎
     日本物理学会2013年秋季大会, 9/25-28 2013, 徳島大学, 徳島.

112. 高濃度Sn添加ゲルマニウム結晶における酸素同時添加の影響
     井上海平, 太子敏則, 村尾優, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎
     日本物理学会2013年秋季大会, 9/25-28 2013, 徳島大学, 徳島.

113. シリコン結晶中における転位の運動
     井元裕也, 沓掛健太朗, 徳本有紀, 大野裕, 米永一郎
     日本物理学会2013年秋季大会, 9/25-28 2013, 徳島大学, 徳島.

114. bcc銅シリサイドにおける電気的特性の第一原理計算
     山本洋佑, 谷口僚, 大野裕, 米永一郎, 西谷滋人
     日本物理学会2013年秋季大会, 9/25-28 2013, 徳島大学, 徳島.

115. Si結晶中の積層欠陥における不純物ドーパントの第一原理計算
     山本洋佑, 西谷滋人, 大野裕, 徳本有紀, 米永一郎
     日本物理学会2013年秋季大会, 9/25-28 2013, 徳島大学, 徳島.

116. 機能性粒界を利用した70ｋｇモノライクSiインゴットの成長
     沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 大野裕, 徳本有紀, 米永一郎
     第74回応用物理学会秋季学術講演会, 9/16-20 2013, 同志社大学, 京都.

117. 高密度に転位を導入したSi結晶におけるMn-Si合金形成
     後藤頼良, 大野裕, 米永一郎
     第74回応用物理学会秋季学術講演会, 9/16-20 2013, 同志社大学, 京都.

118. PLイメージングによるモノライクSi中の転位分布の評価
     二宮駿也, 沓掛健太朗, 大野裕, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 米永一郎
     第74回応用物理学会秋季学術講演会, 9/16-20 2013, 同志社大学, 京都.

119. (selected oral)
     AlN薄膜への転位導入と伝搬挙動の観察
     徳本有紀, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎
     第5回窒化物半導体結晶成長講演会,6/21-22 2013, 大阪大学, 大阪.

120. 機能性結晶粒界によるモノライク Siの多結晶化の抑制
     沓掛健太朗，宇佐美徳隆，大野裕，徳本有紀，米永一郎
     第10回次世代の太陽光発電システムシンポジウム, 5/23-24 2013, 石川県立音楽堂, 石川.

121. 半導体中キャリアの3次元分布計算とELイメージへの応用
     沓掛健太朗，宮崎直人, 鮫島崇, 立花福久, 小椋厚志, 大野裕, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 米永一郎
     金属材料研究所第125回講演会, 5/22-23 2013, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

122. 高濃度に転位を導入したSi結晶におけるMnの拡散挙動
     後藤頼良，沓掛健太朗, 徳本有紀, 大野裕, 米永一郎
     金属材料研究所第125回講演会, 5/22-23 2013, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

123. Effects of impurities on dislocation activities in Ge
     Y. Murao, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga
     金属材料研究所第125回講演会, 5/22-23 2013, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

124. Infrared absorption spectrum of thermal double donor in Ge
     K. Inoue，T. Taishi, Y. Tokumoto, Y. Murao, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga
     金属材料研究所第125回講演会, 5/22-23 2013, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

125. 顕微ELイメージングによる多結晶Si中粒界の電気的特性の定量評価
     沓掛健太朗，宮崎直人, 鮫島崇, 立花福久, 小椋厚志, 大野裕, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 米永一郎
     第60回応用物理学会春季学術講演会, 3/27-30 2013, 神奈川工科大学, 神奈川.

126. SbドープによるSi基板上SiGeエピタキシャル膜中の転位速度増大効果
     伏見竜也, 松永拓也, 山下善文, 大野裕, 米永一郎
     第60回応用物理学会春季学術講演会, 3/27-30 2013, 神奈川工科大学, 神奈川.

127. Si結晶における積層欠陥のドーパント依存性の第一原理計算
     山本洋佑，西谷滋人，大野裕，徳本有紀，米永一郎
     第152回日本金属学会春季講演大会, 3/27-29 2013, 東京理科大学, 東京.

128. 高濃度As添加シリコン結晶育成時のネッキング過程における転位発生挙動の解明
     米永一郎, 徳本有紀, 大野裕, 沓掛健太朗, 後藤頼良, 井上海平
     日本物理学会第68回年次大会, 3/26-29 2013, 広島大学, 広島.

129. ナノインデンテーション法によるAl_xGa_1-xN薄膜の硬度測定
     徳本有紀，種市寛人，沓掛健太朗，大野裕，米永一郎
     日本物理学会第68回年次大会, 3/26-29 2013, 広島大学, 広島.

130. Ge単結晶におけるサーマルドナーの赤外吸収スペクトル
     井上海平，太子敏則A，徳本有紀，村尾優，沓掛健太朗，大野裕，米永一郎
     日本物理学会第68回年次大会, 3/26-29 2013, 広島大学, 広島.

131. Si基板上SiGe膜中の貫通転位運動に対するSbドープの効果
     山下善文，松永拓也，伏見竜也，大野裕，米永一郎
     日本物理学会第68回年次大会, 3/26-29 2013, 広島大学, 広島.

132. 窒化物半導体薄膜の転位密度と硬度の相関
     徳本有紀, 種市寛人, 沓掛健太朗, 大野裕, 三宅秀人, 米永一郎
     東北大学研究所連携プロジェクト 第4期 平成24年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 2/5 2013, 東北大学, 宮城.

133. 半導体中キャリアの3次元分布計算とELイメージへの応用研究
     沓掛健太朗, 宮崎直人, 鮫島崇, 立花福久, 小椋厚志, 徳本有紀, 大野裕, 宇佐美徳隆, 米永一 郎
     東北大学研究所連携プロジェクト 第4期 平成24年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 2/5 2013, 東北大学, 宮城.

134. X線回折顕微鏡によるシリコン結晶中の成長時導入転位の特性の解明
     米永一郎, 徳本有紀, 大野裕, 沓掛健太朗
     日本物理学会2012年秋季大会, 9/18-21 2012, 横浜国立大学, 神奈川.

135. AlN薄膜のナノインデンテーションにより導入される転位の伝播
     徳本有紀, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎
     日本物理学会2012年秋季大会, 9/18-21 2012, 横浜国立大学, 神奈川.

136. ゲルマニウム結晶中の酸素不純物による転位固着の時効効果
     村尾優，太子敏則，井上海平，徳本有紀，沓掛健太朗，大野裕，米永一郎
     日本物理学会2012年秋季大会, 9/18-21 2012, 横浜国立大学, 神奈川.

137. ゲルマニウム単結晶内における酸素の熱処理による挙動
     井上海平，太子敏則，村尾優，徳本由紀，沓掛健太朗，大野裕，米永一郎
     日本物理学会2012年秋季大会, 9/18-21 2012, 横浜国立大学, 神奈川.

138. 機能性結晶粒界によるモノキャストSi成長における多結晶化の抑制
     沓掛健太朗、大野裕、徳本有紀、宇佐美徳隆、米永一郎
     第73回応用物理学会学術講演会, 9/11-14 2012, 愛媛大学・松山大学, 愛媛.

139. 多結晶Ｓｉのキャスト成長における転位発生に関するレビューと考察
     沓掛健太朗、大野裕、徳本有紀、宇佐美徳隆、米永一郎
     第73回応用物理学会学術講演会, 9/11-14 2012, 愛媛大学・松山大学, 愛媛.

140. 太陽電池用超高品質シリコン結晶を目指した機能性結晶粒界の作製と制御
     沓掛健太朗, 井上海平, 大野裕, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 米永一郎
     日本学術振興会 産学協力研究委員会 次世代の太陽光発電システム第175委員会・第9回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 5/31-6/1 2012, 京都テルサ, 京都.

141. AlN薄膜のTEM内ナノインデンテーションによる転位導入およびその伝播挙動の観察
     徳本有紀, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎
     金属材料研究所第123回講演会, 5/23-24 2012, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

142. シリコン結晶中の人工粒界の成長と構造評価 −CZ, FZ, ブリッジマン成長での比較−
     沓掛健太朗，井上海平，大野裕，徳本有紀，宇佐美徳隆，中嶋一雄，米永一郎
     金属材料研究所第123回講演会, 5/23-24 2012, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

143. 高濃度ボロン添加シリコン中の銅析出物の研究
     大澤隆亨, 大野裕, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 井上海平, 米永一郎
     金属材料研究所第123回講演会, 5/23-24 2012, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

144. 高濃度Sn添加Cz-Ge単結晶の育成
     村尾優, 太子敏則, 沓掛健太朗, 徳本有紀, 大野裕, 米永一郎
     金属材料研究所第123回講演会, 5/23-24 2012, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

145. FT-IR study of interstitial oxygen in heat treated Ge
     K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, Y. Murao, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga
     金属材料研究所第123回講演会, 5/23-24 2012, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

146. AlN薄膜のナノインデンテーションにより導入される転位
     徳本有紀, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎
     日本顕微鏡学会第68回学術講演会, 5/14-16 2012, つくば国際会議場, 茨城.

147. (発表奨励賞)
     AlN薄膜のTEM内ナノインデンテーションによる転位導入と伝搬挙動の観察
     徳本有紀, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎
     第4回窒化物半導体結晶成長学会,4/27-28 2012, 東京大学生産技術研究所, 東京.

148. 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の形成について
     大澤隆亨，大野裕，徳本有紀，沓掛健太朗，井上海平，米永一郎，清水康雄，高見澤悠，永井康介，吉田秀人，竹田精治
     日本物理学会第67回年次大会, 3/24-27 2012, 関西学院大学, 兵庫.

149. GeAs/Ge(111)界面の構造解析
     徳本有紀，太子敏則，大野裕，米永一郎
     日本物理学会第67回年次大会, 3/24-27 2012, 関西学院大学, 兵庫.

150. シリコン結晶中の対応粒界の粒界転位構造と結晶成長に伴う変化
     沓掛健太朗，井上海平，大野裕，徳本有紀，米永一郎
     日本物理学会第67回年次大会, 3/24-27 2012, 関西学院大学, 兵庫.

151. IV族不純物添加ゲルマニウム結晶中の転位の運動
     村尾優，太子敏則，徳本有紀，沓掛健太朗，大野裕，米永一郎
     日本物理学会第67回年次大会, 3/24-27 2012, 関西学院大学, 兵庫.

152. Ge単結晶内の格子間酸素の熱処理による挙動
     井上海平，太子敏則，徳本有紀，村尾優，沓掛健太朗，大野裕，米永一郎
     日本物理学会第67回年次大会, 3/24-27 2012, 関西学院大学, 兵庫.

153. (優秀学生発表賞)
     ゲルマニウム結晶中の転位動特性に対する不純物の影響
     村尾優，太子敏則，徳本有紀，沓掛健太朗，大野裕，米永一郎
     東北大学研究所連携プロジェクト 第3期 平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 3/5 2012, 東北大学, 宮城.

154. (優秀学生発表賞)
     赤外吸収法による熱処理Ge単結晶中の格子間酸素の析出挙動の解明
     井上海平，太子敏則，徳本有紀，村尾優，沓掛健太朗，大野裕，米永一郎
     東北大学研究所連携プロジェクト 第3期 平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 3/5 2012, 東北大学, 宮城.

155. 高濃度ボロン添加シリコン中の銅析出物の研究
     大澤隆亨，太子敏則，徳本有紀，沓掛健太朗，井上海平，大野裕，米永一郎
     東北大学研究所連携プロジェクト 第3期 平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 3/5 2012, 東北大学, 宮城.

156. Ge(111)基板上に形成されたGeAsの微細構造解析
     徳本有紀，太子敏則，大野裕，米永一郎
     東北大学研究所連携プロジェクト 第3期 平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 3/5 2012, 東北大学, 宮城.

157. EL・PLイメージを用いた粒界でのキャリア再結合速度導出の研討
     沓掛健太朗，宮崎直人，鮫島祟，立花福久，小椋厚志，徳本有紀，大野裕，宇佐美徳隆，米永一郎
     東北大学研究所連携プロジェクト 第3期 平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 3/5 2012, 東北大学, 宮城.

158. ナイトライド中の転位の運動特性と電子･光学特性の解明による高機能化
     米永一郎，大野裕，徳本有紀
     東北大学研究所連携プロジェクト 第3期 平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 3/5 2012, 東北大学, 宮城.

159. First principles calculations of the copper silicide precipitates
     R. Taniguchi, S. R. Nishitani, Y. Ohno and I. Yonenaga
     第21回日本MRS学術シンポジウム, 12/19-21 2011, 横浜情報文化センター, 神奈川.

160. (分科会発表奨励賞)
     多結晶シリコン中の酸素・炭素不純物の結晶育成方向に対する分布の解析
     沓掛健太郎, 伊勢秀彰, 大野裕, 徳本有紀, 森下浩平, 中島一雄, 米永一郎
     応用物理学会・結晶工学分科会「究極の結晶成長と分析＆若手ポスター発表会」, 12/16 2011, 学習院大学, 東京.

161. (分科会発表奨励賞)
     シリコン結晶中の人工粒界の成長-CZ, FZ, ブリッジマン成長での比較-
     沓掛健太郎, 井上海平, 大野裕, 徳本有紀, 宇佐美特隆, 菅原隆昌, 宍戸統悦, 中島一雄, 米永一郎
     応用物理学会・結晶工学分科会「究極の結晶成長と分析＆若手ポスター発表会」, 12/16 2011, 学習院大学, 東京.

162. ゲルマニウム結晶中での酸素不純物による転位固着への時効効果
     村尾優, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎
     金属材料研究所第122回講演会, 11/24-25 2011, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

163. 高濃度ボロン添加シリコン中における銅析出物の研究
     大澤隆亨, 大野裕, 太子敏則, 徳本有紀, 成田一生, 井上海平, 米永一郎
     金属材料研究所第122回講演会, 11/24-25 2011, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

164. AlＮ基板上に成長されたAlGaN薄膜のナノインデンテーション法による機械的特性の研究
     種市寛人, 大野裕, 沓掛健太朗, 徳本有紀, 米永一郎
     金属材料研究所第122回講演会, 11/24-25 2011, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

165. (co-organizer)
     「格子欠陥が担うエネルギー・環境材料に関する挑戦課題」
     田中真悟, 大野裕, 西谷滋人
     第21回格子欠陥フォーラム, 9/19-20 2011, 立山国際ホテル, 富山.

166. 非極性GaN成長における低温バッファ層の微視的構造
     徳本有紀，李賢宰，大野裕，八百隆文，米永一郎
     日本物理学会2011年秋季大会, 9/21-24 2011, 富山大学, 富山.

167. 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動（そのIII)
     村尾優，太子敏則，徳本有紀，沓掛健太朗，大野裕，米永一郎
     日本物理学会2011年秋季大会, 9/21-24 2011, 富山大学, 富山.

168. 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究　その2
     大澤隆亨，大野裕，太子敏則，徳本有紀，成田一生，井上海平，米永一郎
     日本物理学会2011年秋季大会, 9/21-24 2011, 富山大学, 富山.

169. P，Bを含んだSi結晶の積層欠陥エネルギーの第一原理計算
     西谷滋人，戸賀瀬健介，大野裕，徳本有紀，米永一郎
     日本物理学会2011年秋季大会, 9/21-24 2011, 富山大学, 富山.

170. 第一原理計算によるSi中のCu析出物の相安定性
     谷口僚，西谷滋人，大野裕，米永一郎
     日本物理学会2011年秋季大会, 9/21-24 2011, 富山大学, 富山.

171. 非極性GaN成長における低温バッファ層の構造評価
     徳本有紀，李賢宰，大野裕，八百隆文，米永一郎
     特定領域「窒化物光半導体のフロンティア　−材料潜在能力の極限発現−」最終成果報告公開シンポジウム, 8/3-4 2011, 東京ガーデンパレス, 東京

172. ナイトライド半導体結晶中の転位の運動特性と電子・光学物性の解明
     米永一郎, 大野裕, 徳本有紀, 太子敏則, 上殿明良
     特定領域「窒化物光半導体のフロンティア　−材料潜在能力の極限発現−」最終成果報告公開シンポジウム, 8/3-4 2011, 東京ガーデンパレス, 東京

173. ゲルマニウム結晶中の転位の発生および運動とその制御
     村尾優, 太子敏則, 大野裕, 徳本有紀, 沓掛健太郎, 米永一郎
     第8回次世代の太陽発電システム, 6/30-7/1 2011, 岐阜大学, 岐阜

174. 非極性GaN薄膜成長における低温バッファ層の構造
     徳本有紀，Lee Hyun-Jae，大野裕，八百隆文，米永一郎
     金属材料研究所第121回講演会, 5/24-25 2011, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

175. 多結晶シリコン中の酸素･炭素不純物の結晶育成方向に対する分布
     沓掛健太朗，伊勢秀彰，大野裕，徳本有紀，森下浩平，大野裕，中嶋一雄，米永一郎
     金属材料研究所第121回講演会, 5/24-25 2011, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

176. ゲルマニウム結晶中での酸素不純物による転位の不動化
     村尾優，太子敏則，伊勢秀彰，大野裕，徳本有紀，沓掛健太朗，米永一郎
     金属材料研究所第121回講演会, 5/24-25 2011, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

177. Czochralski-growth of Si crystals doped with various kinds of impurities
     井上海平，大野裕，沓掛健太朗，徳本有紀，米永一郎
     金属材料研究所第121回講演会, 5/24-25 2011, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

178. インデンテーション法により酸化亜鉛(11-20)面に導入される転位の研究
     種市寛人，大野裕，徳本有紀，沓掛健太朗，米永一郎
     金属材料研究所第121回講演会, 5/24-25 2011, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

179. 低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化
     徳本有紀，李賢宰，大野裕，八百隆文，米永一郎
     日本物理学会第66回年次大会, 3/25-28 2011, 新潟大学, 新潟.

180. 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動（そのII）
     村尾優，太子敏則，伊勢秀彰，大野裕，徳本有紀，沓掛健太朗，米永一郎
     日本物理学会第66回年次大会, 3/25-28 2011, 新潟大学, 新潟.

181. 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究
     大澤隆亨，大野裕，太子敏則，徳本有紀，成田一生，井上海平，米永一郎
     日本物理学会第66回年次大会, 3/25-28 2011, 新潟大学, 新潟.

182. Interaction of impurities with dislocations in Ge
     Y. Murao, T. Taishi, H. Ise, Y. Ohno, Y. Tokumoto, I. Yonenaga
     グローバルCOEプログラム「材料インテグレーション国際教育研究拠点」若手研究者研究報告会, 3/2 2011, 東北大学金属材料研究所, 宮城

183. ナイトライド半導体結晶中の転位の運動特性と電子・光学物性の解明
     米永一郎, 大野裕, 徳本有紀, 上殿明良
     特定領域「窒化物光半導体のフロンティア　−材料潜在能力の極限発現−」平成22年度研究成果報告会, 3/1-2 2011, 長浜ロイヤルホテル, 滋賀

184. GaNバッファー層における成長方位の変化
     徳本有紀, H-J. Lee, 大野裕, 八百隆文, 米永一郎
     東北大学研究所連携プロジェクト 第3期 平成22年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 2/9 2011, 東北大学, 宮城.

185. (学生優秀発表賞)
     高濃度ボロン添加シリコン中における銅析出の研究
     大澤隆亨, 大野裕, 太子敏則, 徳本有紀, 成田一生, 米永一郎
     東北大学研究所連携プロジェクト 第3期 平成22年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 2/9 2011, 東北大学, 宮城.

186. 高酸素濃度ゲルマニウムの実現
     米永一郎, 太子敏則, 伊勢秀彰, 大澤隆亨, 徳本有紀, 大野裕
     東北大学研究所連携プロジェクト 第3期 平成22年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 2/9 2011, 東北大学, 宮城.

187. 高濃度ボロン添加シリコン中における銅析出物の研究
     大澤隆亨, 大野裕, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎
     金属材料研究所第120回講演会, 11/24-25 2010, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

188. 高酸素濃度ゲルマニウムの実現
     米永一郎, 太子敏則, 伊勢秀彰, 大澤隆亮, 徳本有紀, 大野裕
     金属材料研究所第120回講演会, 11/24-25 2010, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

189. ゲルマニウム結晶中での不純物による転位の固着現象
     村尾優, 大野裕, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎
     金属材料研究所第120回講演会, 11/24-25 2010, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

190. 酸素添加ゲルマニウム結晶中の局所振動モード
     伊勢秀彰, 太子敏則, 大野裕, 徳本有紀, 米永一郎
     金属材料研究所第120回講演会, 11/24-25 2010, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

191. 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動
     村尾優, 大野裕, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎
     日本物理学会2010年秋期大会, 9/23-26 2010, 大阪府立大学, 大阪.

192. P添加Si中の転位構造
     徳本有紀, 大野裕, 太子敏則, 米永一郎
     日本物理学会2010年秋期大会, 9/23-26 2010, 大阪府立大学, 大阪.

193. Si 結晶中に形成されるUltrashallow Thermal Donorについて
     原明人, 淡野照義, 大野裕, 米永一郎
     第71回応用物理学会学術講演会, 9/14-17 2010, 長崎大学, 長崎.

194. ルネサンス“ゲルマニウム”
     米永一郎, 太子敏則, 村尾優, 伊勢秀彰, 大澤隆亨, 徳本有紀, 大野裕, J. Vanhellemont
     金属材料研究所第119回講演会, 5/27-28 2010, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

195. P添加および熱処理によるSi中の転位構造の変化
     徳本有紀, 大野裕, 太子敏則, 米永一郎
     金属材料研究所第119回講演会, 5/27-28 2010, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

196. ゲルマニウム結晶中の転位の運動速度に対する不純物の効果
     村尾優, 大野裕, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎
     金属材料研究所第119回講演会, 5/27-28 2010, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

197. 高濃度ボロン添加シリコン中における銅析出物の研究
     大澤隆亨, 大野裕, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎
     金属材料研究所第119回講演会, 5/27-28 2010, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

198. 酸素添加ゲルマニウム結晶中の局所振動モード
     伊勢秀彰, 太子敏則, 大野裕, 徳本有紀, 米永一郎
     金属材料研究所第119回講演会, 5/27-28 2010, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

199. P添加Siにおける転位の構造
     徳本有紀, 大野裕, 太子敏則, 米永一郎
     日本顕微鏡学会第66回学術講演会, 5/23-26 2010, 名古屋国際会議場, 愛知

200. シリコンナノチェインのジュール加熱によるナノチューブ形成
     河野日出夫, 野上隆文, 大野裕, 市川聡
     日本顕微鏡学会第66回学術講演会, 5/23-26 2010, 名古屋国際会議場, 愛知

201. ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価
     伊勢秀彰, 太子敏則, 大沢隆亮, 末澤正志, 徳本有紀, 大野裕, J. Vanhellemont, 米永一郎
     日本物理学会第65回年次大会, 3/20-23 2010, 岡山大学津島キャンパス, 岡山

202. CZ-Ge結晶成長における酸素の混入と偏析現象
     太子敏則, 伊勢秀彰, 大澤隆亨, 徳本有紀, 大野裕, 米永一郎
     第57回応用物理学関係連合講演会, 3/17-20 2010, 東海大学湘南キャンパス, 神奈川

203. ナイトライド半導体結晶中の転位の運動特性と電子・光学物性の解明
     米永一郎, 大野裕, 太子敏則, 徳本有紀
     特定領域「窒化物光半導体のフロンティア　−材料潜在能力の極限発現−」平成21年度研究成果報告会, 3/15-16 2010, 長浜ロイヤルホテル, 滋賀

204. 太陽電池基板用の無転位Ge結晶の育成
     太子敏則，大野裕，徳本有紀, 村尾優, 米永一郎, 干川敬吾
     平成21年度東北大学研究所連携プロジェクト研究成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 2/8 2010, 東北大学多元物質科学研究所, 宮城

205. Si・Ge結晶成長における組成的過冷却発生条件の検討
     太子敏則, 大野裕, 徳本有紀, 米永一郎
     第39回結晶成長国内会議, 11/12-14 2009, 名古屋大学, 名古屋.

206. B2O3被覆融液からの無転位Ge単結晶成長と評価
     太子敏則, 伊勢秀彰, 大野裕, 徳本有紀, 米永一郎
     第39回結晶成長国内会議, 11/12-14 2009, 名古屋大学, 名古屋.

207. シリコン結晶育成時のシード･結晶界面でのミスフィット転位発生
     太子敏則, 大野裕, 徳本有紀, 米永一郎
     日本物理学会2009年秋期大会, 9/25-28 2009, 熊本大学, 熊本.

208. 電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換
     河野日出夫, 野上隆文, 市川聡, 大野裕, 竹田精治
     日本物理学会2009年秋期大会, 9/25-28 2009, 熊本大学, 熊本.

209. B2O3被覆Ge融液からの低転位密度CZ-Ge結晶成長
     太子敏則, 伊勢秀彰, 大野裕, 米永一郎
     第70回応用物理学会学術講演会, 9/8-11 2009, 富山大学, 富山.

210. 高濃度As添加CZ-Ge結晶成長におけるGeAs析出機構の解明
     太子敏則, 大野裕, 米永一郎
     金属材料研究所第117回講演会, 5/14-15 2009, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

211. シリコンの曲げ変形と転位の動特性
     米永一郎, 大野裕, 太子敏則, 徳本有紀
     金属材料研究所第117回講演会, 5/14-15 2009, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

212. 個々のシリコンナノチェインの電気的ブレイクダウン
     野上隆文, 河野日出夫, 市川聡, 大野裕, 米永一郎, 竹田精治
     第56回応用物理学関係連合講演会, 3/30-4/2 2009, 筑波大学, 茨城.

213. 窒素ガス熱処理によって窒素をドープしたCZ-Si 結晶に形成されるSTD の熱的挙動
     原明人, 及川拓也, 大野裕, 米永一郎
     第56回応用物理学関係連合講演会, 3/30-4/2 2009, 筑波大学, 茨城.

214. 半導体中の欠陥とその光学物性
     米永一郎, 大野裕
     日本金属学会2009年春期大会, 3/28-30 2009, 東京工業大学, 東京.

215. ホウ素およびリンを高濃度添加したシリコン中の格子欠陥形成
     白川徹, 大野裕, 太子敏則, 米永一郎
     日本物理学会第64回年次大会, 3/27-30 2009, 立教学院池袋キャンパス, 東京.

216. シリコンの曲げ変形と転位動特性
     米永一郎, 大野裕, 太子敏則
     日本物理学会第64回年次大会, 3/27-30 2009, 立教学院池袋キャンパス, 東京.

217. 引き上げ法シリコンの種子-結晶界面におけるミスフィット転位発生現象
     太子敏則, 大野裕, 米永一郎
     東北大学金属材料研究所ワークショップ, 1/19-20 2009, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

218. ZnOにおける転位とその硬度特性
     米永一郎, 小泉晴比古, 大野裕, 太子敏則
     金属材料研究所第116回講演会, 11/26-27 2008, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

219. 引き上げ法Ge結晶成長におけるBの偏析と固溶限
     太子敏則, 村尾優, 大野裕, 米永一郎
     第37回結晶成長国内会議, 11/4-6 2008, 東北大学, 宮城.

220. ZnO結晶の硬度特性と転位挙動
     小泉晴比古, 米永一郎, 大野裕, 太子敏則
     日本物理学会2008年秋季大会, 9/20-23 2008, 岩手大学, 岩手.

221. 個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン
     野上隆文, 河野日出夫, 大野裕, 米永一郎, 竹田精治
     日本物理学会2008年秋季大会, 9/20-23 2008, 岩手大学, 岩手.

222. GaN、ZnOにおける転位とその光学特性
     米永一郎, 大野裕, 太子敏則, 藤井克司,八百隆文
     金属材料研究所第115回講演会, 5/13-14 2008, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

223. 引き上げ(CZ)法によるGe結晶成長におけるBの偏析現象-他の不純物、CZ-Siとの比較-
     太子敏則, 大野裕, 米永一郎
     金属材料研究所第115回講演会, 5/13-14 2008, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

224. 微小硬度試験法により導入されたZnO単結晶の転位の運動および光学特性
     小泉晴比古, 大野裕, 太子敏則, 藤井克司, 後藤裕輝, 八百隆文, 米永一郎
     第55回応用物理学関係連合講演会, 3/27-30 2008, 日本大学, 千葉.

225. GaN、ZnOにおける転位とその光学特性
     米永一郎, 大野裕, 上村祥史, 枝川圭一, 八百隆文,
     日本金属学会2008年春期大会, 3/26-28 2008, 武蔵工業大学, 東京.

226. 半導体の転位-不純物欠陥反応に対する強磁場の影響
     米永一郎, 高橋弘紀, 大野裕, 太子敏則
     日本金属学会2008年春期大会, 3/26-28 2008, 武蔵工業大学, 東京.

227. 高濃度GaおよびAs添加CZ-Ge結晶成長における偏析挙動
     太子敏則, 村尾優, 大野裕, 米永一郎
     日本金属学会2008年春期大会, 3/26-28 2008, 武蔵工業大学, 東京.

228. ワイドギャップ半導体の強度特性と転位運動
     米永一郎, 大野裕, 太子敏則, 小泉晴比古
     日本物理学会第６３回年次大会, 3/22-26 2008, 近畿大学, 大阪.

229. 高濃度Ga、As添加CZ-Ge単結晶成長における不純物分析
     太子敏則, 小泉晴比古, 大野裕, 米永一郎
     金属材料研究所第114回講演会, 11/29-30 2007, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

230. 塑性変形したバルク単結晶の降伏強度と転位の運動
     小泉晴比古, 大野裕, 太子敏則, 米永一郎
     金属材料研究所第114回講演会, 11/29-30 2007, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

231. 塑性変形したZnO単結晶の降伏強度と転位の運動
     小泉晴比古, 大野裕, 米永一郎
     日本物理学会第６２回年次大会, 9/21-24 2007, 北海道大学, 北海道.

232. 成長中光照射によるZnSe薄膜の構造変化
     平井竜太,大野裕,市川聡,竹田精治
     日本電子顕微鏡学会113回講演会, 5/20-22 2007, 朱鷺メッセ, 新潟.

233. ナノ領域に選択成長させた触媒からのナノワイヤ生成
     鳥越和尚, 大野裕, 吉川純, 市川聡, 市橋鋭也, 竹田精治
     日本物理学会2006年秋季大会, 9/23-26 2006, 千葉大学, 千葉.

234. 成長中光照射によるZnSe疑似格子整合膜の構造変化
     平井竜太, 市川聡, 大野裕, 竹田精治
     日本物理学会2006年秋季大会, 9/23-26 2006, 千葉大学, 千葉.

235. 高速電子ビームによるナノプロセス
     竹田精治, 大野裕, 鳥越和尚
     第５３回応用物理学関係連合講演会, 3/22-26 2006, 武蔵工業大学, 東京.

236. 荒れた表面におけるシリコンナノワイヤの触媒の成長制御
     鳥越和尚, 吉川純,大野裕, 市橋鋭也, 竹田精治
     第５３回応用物理学関係連合講演会, 3/22-26 2006, 武蔵工業大学, 東京.

237. 光照射MBE法により成長させたGaAs(001)基板上ZnSe薄膜の構造評価
     平井竜太, 大野裕, 市川聡, 竹田精治
     第５３回応用物理学関係連合講演会, 3/22-26 2006, 武蔵工業大学, 東京.

238. 電子線照射によるナノプロセス
     竹田精治, 大野裕
     応用物理学会関西支部平成１８年度関西支部セミナー, 2/7 2006, 和歌山大学, 和歌山.

239. 電子線照射したSi表面上でのAuナノ微粒子の選択的成長
     鳥越和尚, 大野裕, 市橋鋭也, 竹田精治
     第66回応用物理学会学術講演会, 9/7-11 2005, 徳島大学, 徳島.

240. 表面ラフネスがAuナノ微粒子の分布に与える影響
     鳥越和尚, 大野裕, 市橋鋭也, 竹田精治
     第５２回応用物理学関係連合講演会, 3/29-4/1 2005, 埼玉大学, 埼玉.

241. VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径
     吉川純, 大野裕, 竹田精治
     日本物理学会第６０回年次大会, 3/24-27 2005, 東京理科大学, 千葉.

242. 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数
     鳥越和尚, 大野裕, 市橋鋭也, 竹田精治
     日本物理学会２００４年秋季大会, 9/12-15 2004, 青森大学, 青森.

243. 触媒CVD法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析
     吉川純, 大野裕, 竹田精治
     日本物理学会２００４年秋季大会, 9/12-15 2004, 青森大学, 青森.

244. ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構
     白濱武郎, 大野裕, 竹田精治
     日本物理学会第５９回年次大会, 3/27-30 2004, 九州大学, 福岡.

245. ラフネスを導入したSi表面におけるAu原子の拡散
     鳥越和尚, 大野裕, 市橋鋭也, 竹田精治
     日本物理学会第５９回年次大会, 3/27-30 2004, 九州大学, 福岡.

246. MBE法によるZnSeナノホイスカーの成長
     白濱武郎, 大野裕, 竹田精治
     日本物理学会２００３年秋季大会, 9/20-23 2003, 岡山大学, 岡山.

247. 金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温ＳＴＭ観察
     吉川純, 大野裕, 竹田精治
     日本物理学会２００３年秋季大会, 9/20-23 2003, 岡山大学, 岡山.

248. Si表面ナノホールが存在する表面でのAu集合体の形成
     鳥越和尚, 大野裕, 市橋鋭也, 秋田知樹, 竹田精治
     日本物理学会２００３年秋季大会, 9/20-23 2003, 岡山大学, 岡山.

249. 水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程
     吉川純, 植田耕平, 大野裕, 竹田精治
     日本物理学会第５８回年次大会, 3/28-31 2003, 東北大学, 宮城.

250. 電子線照射したSi(001)表面上での吸着原子の拡散と集合
     鳥越和尚, 大野裕, 市橋鋭也, 竹田精治
     日本物理学会第５８回年次大会, 3/28-31 2003, 東北大学, 宮城.

251. SiGe混晶における電子線照射誘起の拡張欠陥
     吉川純, 大野裕, 香山正憲, 竹田精治
     日本物理学会２００２年秋季大会, 9/6-9 2002, 中部大学, 愛知.

252. ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の構造とその形成機構
     足立直人, 大野裕, 竹田精治
     日本電子顕微鏡学会第５８回学術講演会, 5/14-16 2002, 大阪国際交流センター, 大阪.

253. SiGeにおける電子線照射効果
     吉川純, 山崎順, 河野日出夫, 大野裕, 竹田精治
     日本物理学会第５７回年次大会, 3/24-27 2002, 立命館大学, 滋賀.

254. シリコンナノワイヤー成長におけるナノ触媒形成過程のSTM観察
     植田耕平, 大野裕, 尾崎信彦, 竹田精治
     日本物理学会第５７回年次大会, 3/24-27 2002, 立命館大学, 滋賀.

255. ZnSe薄膜中のＶ字型積層欠陥の生成消滅メカニズム
     足立直人, 大野裕, 竹田精治
     日本物理学会第５７回年次大会, 3/24-27 2002, 立命館大学, 滋賀.

256. 金蒸着Si(111)水素終端面の高温ＳＴＭ観察
     植田耕平, 大野裕, 尾崎信彦, 竹田精治
     日本物理学会２００１年秋季大会, 9/17-20 2001, 徳島文理大学, 徳島.

257. ZnSe薄膜中のＶ字型積層欠陥の構造
     足立直人, 大野裕, 竹田精治
     日本物理学会２００１年秋季大会, 9/17-20 2001, 徳島文理大学, 徳島.

258. ＳＴＭによるシリコン表面ナノホールの形成初期過程の観察
     尾崎信彦, 大野裕, 丹原匡彦, 濱田大介, 山崎順, 竹田精治
     第４８回応用物理学関係連合講演会, 3/28-31 2001, 明治大学, 東京.

259. シリコン表面ナノホールのＳＴＭ観察
     尾崎信彦, 大野裕, 丹原匡彦, 濱田大介, 山崎順, 竹田精治
     日本物理学会第５６回年次大会, 3/27-30 2001, 中央大学, 東京.

260. Ｓｉ（１１１）水素終端表面上に蒸着された金クラスターのＳＴＭ観察
     植田耕平, 大野裕, 尾崎信彦, 竹田精治
     日本物理学会第５６回年次大会, 3/27-30 2001, 中央大学, 東京.

261. シリコン表面上の電子線誘起欠陥のＳＴＭ観察
     尾崎信彦, 丹原匡彦, 山崎順, 濱田大介, 白浜晃一, 河野日出夫, 大野裕, 竹田精治
     日本物理学会第５５回年次大会, 9/22-25 2000, 新潟大学, 新潟.

262. シリコン表面に形成した多形シリコンナノワイヤー
     尾崎信彦, 大野裕, 竹田精治
     日本物理学会第５５回年次大会, 9/22-25 2000, 新潟大学, 新潟.

263. シリコン表面ナノホールの光物性
     丹原匡彦, 大野裕, 竹田精治
     日本物理学会２０００年春の分科会, 3/22-25 2000, 関西大学, 大阪.

264. シリコンナノワイヤーのＴＥＭ内その場可視分光装置による光学測定
     尾崎信彦, 竹田精治, 大野裕
     日本物理学会２０００年春の分科会, 3/22-25 2000, 関西大学, 大阪.

265. ＧａＰの点欠陥移動における表面効果
     池中清乃, 大野裕, 竹田精治
     日本物理学会２０００年春の分科会, 3/22-25 2000, 関西大学, 大阪.

266. シリコン｛１１１｝表面上に生成したシリコンナノワイヤーの光物性
     尾崎信彦, 大野裕, 竹田精治
     日本物理学会１９９９年秋の分科会, 9/24-27 1999, 岩手大学, 岩手.

267. シリコン（１１１）表面上でのシリコン・ナノウィスカーの生成
     尾崎信彦, 大野裕, 竹田精治, 平田光兒
     日本物理学会第５３回年会, 3/30-4/2 1998, 東邦大学・日本大学, 千葉.

268. ｃ−ＢＮの転位に形成された窒素バブル
     秋元成, 大野裕, 竹田精治
     日本物理学会第５３回年会, 3/30-4/2 1998, 東邦大学・日本大学, 千葉.

269. ｃ−ＢＮの拡張欠陥
     秋元成, 大野裕, 平田光兒
     日本物理学会１９９７年秋の分科会, 10/5-8 1997, 神戸大学, 兵庫.

270. ＩｎＰにおける２次欠陥成長過程のＴＥＭ観察
     齊藤長人, 大野裕, 平田光兒
     日本物理学会１９９５年秋の分科会, 9/27-30 1995, 大阪府立大学, 大阪.