Invited talk

[International conference] [Internal conference]
[International Conference]

  1. Impact of asymmetric grain boundaries on conversion efficiency in Si solar cells
    Y. Ohno
    Collaborative conference on Materials Research 2019 (CCMR-2019), 6/3-7 2019, Kintex, Korea.

  2. (keynote)
    Chemical nanoanalysis of Si grain boundaries towards the fabrication of high- functional Si solar cells
    Y. Ohno
    5th International Conference on Theoretical, Materials and Condenced Matter Physics, 11/26-28 2018, Los Angeles, USA.

  3. Chemical nanoanalyses at grain boundaries by atom probe tomography with TEM and ab-initio calculations
    Y. Ohno
    BIT's 8th Annual World Congress of Nano Science & Technology-2018 (Nano S&T-2018), 10/24-26 2018, Potsdam, Germany.

  4. Grain boundary segregation in silicon: nanoscopic mechanism and applications
    Y. Ohno
    International Conference on Condensed-Matter and Material Science (ICCMS2018), 6/20-21 2018, Kuala Lumpur, Malaysia.

  5. Atom probe and STEM nanoanalysis of grain boundary segregation in Si
    Y. Ohno
    14th International Conference on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors (BIAMS2018), 6/18-21 2018, Seoul, Korea.

  6. Structural properties of low-resistance Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature
    Y. Ohno
    Energy, Materials, and Nanotechnology (EMN) Photovoltaics Meeting 2018, 1/15-19 2018, Singapore.

  7. Grain boundary segregation in Si studied by atom probe tomography combined with TEM and ab-initio calculations
    Y. Ohno
    20th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials, 4/9-14 2017, Oxford, UK.

  8. Three-dimensional evaluation of segregation ability at grain boundaries in Si by atom probe tomography combined with transmission electron microscopy
    Y. Ohno
    E-MRS 2016 Spring Meeting, 5/2-6 2016, Lille, France.

  9. Impurity segregation at small angle tilt boundaries in silicon: nanoscopic mechanisms and applications
    Y. Ohno
    EMN Photovoltaics Meeting 2016, 1/18-21 2016, Hong Kong, China.

  10. Revisiting radiation-enhanced dislocation glide with recent studies on 4H-SiC
    Y. Ohno, K. Maeda
    Extended Defects in Semiconductors 2012, 6/24-29 2012, Thessaloniki, Greece.

  11. In-situ analysis of optical properties of nanostructures in TEM
    Y. Ohno
    The 20th Frontiers of Electron Microscopy in Materials Science, 9/27-10/2 2009, Nagasaki, Japan.

  12. Optical properties of semiconductor nanostructures and defects studied by transmission electron microscopy
    Y. Ohno
    5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, 9/1-3 2009, Osaka, Japan.

  13. In-situ analysis of opto-, electronic properties of defects in TEM observations
    Y. Ohno
    Extended defects in semiconductors 2008, 9/14-19 2008, Poitiers, France.

  14. Dislocation-related energy levels in wurtzite ZnO
    Y. Ohno, H. Koizumi, T. Taishi, K. Fujii, H. Goto, T. Yao, I. Yonenaga
    4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, 5/21-24 2008, Sendai, Japan.

[Internal Conference]

  1. マルチスケール相関顕微鏡法で解明する多結晶粒界機能 −転位発生・双晶化および不純物集積−
    大野裕
    第５回多結晶材料情報学応用技術研究会, 12/16 2022, 名古屋大学, 愛知.

  2. アトムプローブと低温FIB加工法の複合による半導体粒界の構造・組成精密評価
    大野裕
    カメカ テクニカルセミナー 2021, 12/8 2021,online.

  3. 低温FIB法とアトムプローブ・STEM複合法による半導体粒界の構造・組成精密評価
    大野裕
    日本顕微鏡学会第77回学術講演会, 6/14-16 2021,つくば国際会議場, 茨城.

  4. 表面活性化接合法で作成したSi/ワイドギャップ半導体ヘテロ界面の微視的描像
    大野裕
    独立行政法人日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会 第28回研究会, 9/24 2020, 東京大学, 東京.

  5. 結晶学および計算科学によるSiとNaの反応機構の解明
    大野裕
    第67回応用物理学会春季学術講演会, 3/12-15 2020, 上智大学, 東京.

  6. 表面活性化のためのAr原子線照射がSi/GaAs接合界面の構造に及ぼす影響
    大野裕
    独立行政法人日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会 第22回研究会, 7/6 2019, 東京大学, 東京.

  7. 3次元アトムプローブ法による半導体欠陥の組成評価：定量分析と実際
    大野裕
    独立行政法人日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会 第162回研究会, 1/31 2019, 明治大学, 東京.

  8. シリコン結晶における不純物の粒界偏析　−微視的描像と機能−
    大野裕
    第78回応用物理学会秋季学術講演会, 9/5-8 2017, 福岡国際会議場, 福岡.

  9. 半導体の粒界・転位機能−Si粒界とワイドギャップ半導体転位を中心に−
    大野裕
    日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部 第７１回若手材料研究会「格子欠陥研究の最前線」, 3/24 2017, 安保ホール, 名古屋.

  10. 表面活性化接合Si/GaAs界面の平面TEM観察
    大野裕
    独立行政法人日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会 第7回研究会, 12/16 2016, 東京大学, 東京.

  11. 透過電子顕微鏡による半導体欠陥の電子的・動的特性のナノスケール直視評価
    大野裕
    独立行政法人日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会 第89回研究会「結晶加工と評価」, 1/8-9 2015, 橿原ロイヤルホテル, 奈良.

  12. TEM内その場近接場光照射　-TEM内でのナノ光学に向けて-
    大野裕
    日本顕微鏡学会第69回学術講演会, 5/20-22 2013, ホテル阪急エキスポパーク, 大阪.

  13. (keynote)
    ＴＥＭ内その場顕微分光・電気測定による半導体転位の機能評価
    大野裕
    日本金属学会2011年春期(第148回)大会, 3/25-27 2011, 東京都市大学, 東京.

  14. 格子欠陥・ナノ構造体の制御技術と新機能性
    大野裕
    第6回励起ナノプロセス研究会, 11/2-3 2010, ビッグ・アイ 国際障害者交流センター, 大阪.

  15. 顕微鏡法を用いたナノ電子物性評価の現状と今後
    大野裕
    第１８回格子欠陥フォーラム, 9/24 2008, 東北大学金属材料研究所, 宮城.

  16. 透過電子顕微鏡内における光照射・分光法の開発と応用
    大野裕
    日本電子顕微鏡学会北海道支部ビーム誘起・励起効果研究部会, 3/6 2007, 北海道大学, 北海道.

  17. 半導体ナノ構造の形成メカニズムとその応用の可能性:Si表面ナノホール,拡張欠陥を中心として
    大野裕
    第１３回格子欠陥フォーラム, 9/23-25 2003, 鷲羽山下電ホテル, 岡山.

  18. (tutorial)
    ＣＬ法による電子状態解析の基礎
    大野裕
    日本電子顕微鏡学会関西支部・平成１２年度電子顕微鏡技術研究会（非生物系）, 12/8 2000, 大阪大学, 大阪.

  19. ＧａＰおよびＧａＩｎＰ中の電子線誘起欠陥反応（ＴＥＭ−ＣＬ法）
    大野裕
    日本電子顕微鏡学会第４２回シンポジウム, 10/31-11/1 1997, 滝野川会舘, 東京.

  20. ＴＥＭ内その場可視分光測定法の開発とその応用
    大野裕, 竹田精治
    日本電子顕微鏡学会第４１回シンポジウム, 10/24-26 1996, 京都工芸繊維大学, 京都.

  21. ＴＥＭ内その場フォトルミネセンス法による半導体微細構造研究
    大野裕
    日本物理学会１９９６年秋の分科会, 10/1-4 1996, 山口大学, 山口.

  22. ＴＥＭ内その場ＰＬ／ＣＬ測定による半導体微細構造の研究
    大野裕
    日本電子顕微鏡学会／電子顕微鏡とニューマイクロスコープの基礎研究部会平成７年度研究会, 10/26-27 1995, 工学院大学, 東京.

  23. 電子顕微鏡内におけるその場ＰＬ測定
    大野裕
    日本電子顕微鏡学会／電子顕微鏡周辺機器の活用・開発とその応用に関する研究部会平成６年度研究会, 11/25 1994, 大阪大学, 大阪.

  24. ＴＥＭ−ラマン分光による格子欠陥研究の可能性
    大野裕, 竹田精治, 平田光兒
    日本電子顕微鏡学会／電子顕微鏡周辺機器の活用・開発とその応用に関する研究部会平成４年度研究会, 12/11 1992, 千里ライフサイエンスセンター, 大阪.